应陈涌海研究员的邀请， 2011年6月9日上午，澳大利亚国立大学的雷文博士来半导体所进行学术交流，并在学术沙龙做题为“Semiconductor InAs(Sb) Nanostructures: Material, Physics, and Applications in Optoelectronic and Photovoltaic Devices” 的学术报告，报告由徐波研究员主持， 相关研究领域的老师和同学参加了报告会。

    雷文博士在报告中详细介绍了他所在的实验室在InAs(Sb)纳米结构的材料生长和器件应用方面的研究进展，尤其是将InAs(Sb)纳米材料用于2～3微米波段半导体激光器和中间带隙太阳能电池两类器件结构中，得到了比较理想的实验结果。此外，雷文博士还介绍了采用磁场电容电压谱方法探测量子点中波函数/量子态的分布方面的研究结果。

    雷文博士的报告内容与我实验室正在开展的部分工作密切相关，引起了在座的许多工作人员和研究生的强烈兴趣，报告结束后进行了长时间的讨论和交流。 大家感谢他在百忙之中来半导体所作学术报告并进行学术交流，希望双方能进一步加强合作，不断增进我所在低维半导体材料研究方面的国际交流。