2011年11月3日，02重大专项“硅基高迁移率材料与新器件集成技术研究”项目启动暨推进会在半导体所召开。02专项副总师、中科院微系统所所长王曦院士，02专项责任专家北京大学软件与微电子学院院长张兴教授、中科院微电子所科研处长王文武研究员，半导体所所长李晋闽、副所长陈弘达，中科院高技术局信息处处长李才兴等相关领导、专家以及合作单位代表30余人参加了会议。会议由半导体所科技开发处处长郑婉华主持。

   李晋闽所长首先致欢迎辞，对项目组相关领导、专家以及合作单位代表的到来表示热烈的欢迎和衷心的感谢。

   “硅基高迁移率材料与新器件集成技术研究” 项目由中科院半导体所为牵头组织单位，项目由半导体所潘教青研究员任项目组长。项目组联合单位包括中科院微电子所、北京大学和清华大学。项目以解决高迁移率材料在硅衬底上异质集成的关键基础科学问题和突破具有自主知识产权的高迁移率CMOS关键核心技术为目标，在硅基高迁移率锗与III-V族半导体材料生长、高迁移率CMOS新结构器件、新原理器件集成技术等方面进行系统研究。研制出拥有自主知识产权的硅基高迁移率锗材料与III-V族半导体材料，研制出硅基高迁移率CMOS原型器件，探索新原理集成器件的理论基础与工作机制。将新材料体系和新器件结构及基础理论等方面研究工作有机结合，获得硅基高迁移率CMOS技术的核心知识产权，为我国“后22纳米”CMOS集成电路技术的发展提供技术解决方案。

   项目组向专家认真汇报了工作进展，得到专家的一致认可。王曦院士指出，半导体所承担的“硅基高迁移率材料与新器件集成技术研究”是02重大专项组布局的产学研结合项目的一部分，希望半导体所在02重大专项的支持下做出有前瞻性，有特色的工作，研究成果要为后续的产业化提供良好的基础和有力的支持与服务。中科院高技术局信息处处长李才兴指出，感谢专项办把这么重要的任务给予科学院，中科院对02专项的管理非常重视，希望半导体所通过项目管理推动和促进项目进行，保证项目顺利完成。

   会议还讨论了02重大专项项目管理制度。项目启动会的成功召开为专项的顺利开展奠定了良好的基础。

   参加会议的还有材料科学重点实验室主任陈涌海，副主任刘峰奇、赵玲娟，科技处副处长徐彦之，朱洪亮研究员，项目负责人潘教青研究员；清华大学课题负责人王敬副教授，高级工程师周卫，助理研究员梁仁荣；中科院微电子所课题负责人刘洪刚研究员，课题负责人尹海洲研究员，助理研究员孙兵、王盛凯，博士生常虎东，硕士生薛百清、吴立枢；北京大学康晋锋教授，课题负责人刘力锋副教授，博士生高滨、陈冰，硕士生于迪。