2012年1月11日，受半导体材料科学重点实验室王占国院士和陈涌海主任的邀请，瑞典Linköping大学物理-化学-生物系(Dept of Physics,Chemistry and Biology)的Per-Olof Holtz教授来半导体所进行访问交流，做了题为“单量子点的光学表征” （Optical characterization of individual quantum dots）的学术报告。Holtz教授介绍了他所在的实验室在InAs/GaAs量子点和InN/GaN 量子点方面的研究进展，尤其是单量子点激子态特性的光学研究和外电场、磁场对单量子点电子态填充的调控作用研究。报告吸引了许多来自所内各实验室的老师和研究生，与Holtz教授进行了详细深入的讨论。会后在陈涌海研究员的陪同下，Holtz教授参观了材料重点室和超晶格室的部分实验室，与科研人员和研究生进行了的学术交流讨论。