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英国国家三五族半导体中心张子旸博士来材料实验室学术交流

发布时间:2013-07-18 阅读次数:0

       应我所王占国院士的邀请,英国国家三五族半导体中心的张子?博士于2013年7月16日来所进行学术交流。

      来访期间,张博士作了题为“InGaAs/GaA-量子点材料和器件在生物医学成像和光通讯中的应用”的学术报告,简要介绍了GaAs基InGaAs量子点材料和器件在光学相干断层成像(OCT)和光通讯中的应用需求,详细报告了他在宽光谱量子点材料和超辐射发光管器件、高质量1.55 mm In(Ga)As/GaAs量子点材料和可饱和吸收器件以及在锁模激光器中应用的出色工作。报告引起了与会师生的浓厚兴趣,大家就报告中涉及到的技术及应用方面的问题以及国内外有关方面的最新研究成果和进展进行了热烈的交流和探讨。