应材料重点实验室主任刘峰奇研究员邀请，美国麻省大学波士顿分校电子工程系孙刚教授于2015年10月23日来半导体所进行学术交流，并在黄昆半导体科学技术论坛上作第260期报告，报告题目为“Surface Plasmon Enhanced GeSiSn Infrared Detectors”

孙教授毕业于北京大学微电子系，分别在美国马凯特大学及霍普金斯大学取得硕士、博士学位后，加入麻省大学电子工程系。孙教授长期从事半导体光电子及纳米光子的理论研究，本次学术报告，孙教授从GeSiSn材料的性质和发展情况入手，报告了他们在表面等离子体增强GeSn基中红外探测器方面的研究工作。报告内容丰富而精彩，尤其是孙教授介绍几种Au纳米结构设计，令在座的学生大受启发，会后大家就器件设计及材料生长等方面的问题进行了激烈的讨论。报告会后，刘峰奇主任代表研究所向孙刚教授赠送了黄昆论坛纪念品。