2018年5月13-18日，我室PIC课题组陆丹研究员、梁松研究员，博士研究生李召松、陈光灿和王梦琦赴美参加了Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO 2018)会议。CLEO会议是光通信领域的顶会，内容涵盖半导体激光器、光学器件和光学材料以及其在光通信、光电子、太赫兹技术、超快光学、生物光传感和激光加工等诸多领域的应用。本次会议在美国的科技之城，硅谷之心San Jose举行，PIC课题组此次参会共有3篇学术报告,展示在光子芯片集成、光纤系统及硅基III-V材料外延方面的最新研究成果。

会议期间，李召松同学作了题为“A monolithic integrated InP few-mode transmitter”的Poster报告。报告介绍了一种InP基单片集成式少模光发射芯片的基本原理、工艺制作和测试结果，该集成芯片主要包含激光调制光源（DFB-LD）和模式转换/复用器两部分，其中的模式转换/复用器基于MMI原理，具有工艺容差大，对偏振、波长不敏感的特性。该少模集成芯片首次实现了激光调制光源与模式转换/复用器的单片集成，最终实现了基模和一阶模信道在NRZ调制格式下10 Gbps的眼图和零误码输出。激光光源与模式转换/复用器的单片集成有效的降低了器件的尺寸和制作成本，在数据中心以及光互联等对器件体积和成本要求较高的领域具有重要的应用前景。该海报受到众多同行的关注，并在现场进行了深入交流。最早提出基于MMI模分概念的苏黎世联邦工学院教授J.Leuthold也在现场与我们进行了交流。下图为与J.Leuthold教授的合影。该工作在陆丹研究员和潘教青研究员的指导下完成。

在Novel Semiconductor Emitters会议主题中，陈光灿同学作了题为“Synchronized Narrow Linewidth Laser and High Quality Microwave Signal Generation using Optically Mutual-Injection-Locked DFB Lasers with Optoelectronic Feedback”的口头报告，报道了一种基于直调DFB激光器互注入与光电反馈的窄线宽产生和高质量微波产生系统。DFB激光器互注入构成的等效微波光子滤波器消除了传统光电振荡器中电滤波器的使用，光电反馈环的振荡频率由两只DFB激光器的频率差决定。同时，反馈信号直接调制在DFB激光器，免除了外调制器的使用，简化了光电振荡器系统的结构。系统输出频率为23 GHz的高质量微波信号在10 kHz频偏处的单边带相位噪声为-107.47 dB/Hz，杂散抑制比超过65 dB。DFB激光器的线宽由MHz量级压缩到亚kHz量级，线宽压缩比超过104。窄线宽光载微波在双波长激光多普勒雷达及ROF系统中具有重要应用。该工作在陆丹研究员、赵玲娟研究员指导下完成。

王梦琦同学张贴了题为“InGaAs/InP Multi-quantum-well Nanowires Directly Grown on SOI Substrates and Optical Property Characterizations”的海报。海报展示了本研究组硅基III-V材料外延集成的最新成果——通过模式计算，将之前硅衬底250 nm宽的InGaAs/InP多量子阱纳米线结构转移到SOI衬底上，并优化参数，将宽度增加为500 nm等，使波导模式集中于量子阱增益区。此外，进一步的测试和模拟计算，证实了该材料结构质量良好、发光与波导传播特性突出，可用于下一步硅基激光器制备。该研究工作是在潘教青研究员指导下，与李稚博博士共同完成完成。

海报展示期间，新颖的内容吸引了多方兴趣，海报展示者与香港科技大学刘纪美教授研究组、IMEC即比利时根特大学光子学研究组、圣芭芭拉加州大学Klamkin教授研究组的博士们热烈交流了目前处于研究热点的硅基选区外延III-V激光器的外延特性和制备工艺，根特大学的著名教授Dreis Van Thourhout甚至亲临海报前与展示者亲切交流、询问研究进展，此外该成果作为未来制备硅基光源很有竞争力的手段，还吸引了Intel的研发工程师的热切关注，在海报前详细询问了展示者有关该成果的众多细节。

   本次学术会议展示了我室PIC课题组在光子芯片集成等前沿领域的研究成果，提高了我们工作的国际影响力。与国际科研人员的讨论交流也拓宽了我们的研究思路，对今后的研究方向和国际合作交流十分有益。