共聚一堂忆峥嵘，继往开来铸辉煌。12月29日，为了回顾王占国院士60年的学术生涯，为了研讨先进半导体材料与器件的前沿进展，学习王占国院士占“新”为民、兴“材”报国的崇高品格和孜孜以求、勇于创新的科学精神，感受他谦逊正直、提携后生的大家风范，在这个阳光灿烂、碧空万里的日子里，隆重举行王占国院士从事科研工作60周年暨先进半导体材料与器件前沿进展研讨会。

中科院副院长、中国科学院大学党委书记、校长李树深院士，北京大学秦国刚院士，半导体所王圩院士，微电子所刘明院士，厦门大学校长、党委副书记张荣教授，东北师范大学校长、党委副书记刘益春教授，南昌大学党委常委、副校长江风益教授，半导体所副所长（法定代表人）祝宁华，党委书记、副所长冯仁国，副所长杨富华，党委副书记、纪委书记樊志军，副所长谭平恒，所长助理张韵、李明，中山大学电子与信息工程学院院长邓少芝教授，北京大学沈波教授，同济大学化学科学与工程学院院长张驰教授，南开大学泰达应用物理研究院副院长孔勇发教授以及王占国院士的同事、朋友与学生代表等200余人参加了此次会议。会议由半导体所材料科学重点实验室主任王智杰主持。

六十年开拓创新，硕果累累；六十年辛勤耕耘，人才济济。上午九时许，王占国院士从事科研工作60周年暨先进半导体材料与器件前沿进展研讨会正式拉开帷幕。

首先，中科院学部工作局副局长苏荣辉宣读中国科学院院长、党组书记、学部主席团执行主席白春礼院长贺信。白春礼在贺信中高度评价了王占国院士为我国半导体材料和材料物理研究方面做出的系统性和创新性的突出贡献，坚持不懈、锐意进取的科学精神和爱国奉献、平易近人的优秀品质，以及为学部发展、国家科学思想库建设和在青年科技人才培养方面取得的突出成绩，向王占国院士致以衷心的祝贺和诚挚的问候。

随后，中科院副院长、中国科学院大学党委书记、校长李树深院士讲话。他谈到，近60年来，王占国院士在半导体材料科学研究等方面取得了一系列重大成果，为国家半导体科技事业的发展做出了突出贡献；王占国院士心系国家和半导体所的发展，为我国科技事业和半导体所的发展建言献策；王占国院士以教育为己任，甘为人梯、提携后进，为国家培养和造就了一大批优秀科技人才。他还回顾了自己1993年作为博士生进入半导体所时，王占国院士对他的深切教诲，指出王占国院士坚持真理的科学精神、报效祖国的爱国情操和淡泊名利的崇高品格为我们树立了楷模，是我们晚辈后学的宝贵财富。

接下来，半导体所副所长（法定代表人）祝宁华致辞。他代表半导体所向王院士致以崇高的敬意和美好的祝愿，并向前来参加活动的各位领导和来宾表示热烈的欢迎和诚挚的问候。他谈到，近60年来，王院士以强烈的事业心、责任感、使命感，为我国半导体材料学科建设和技术创新做出了杰出贡献，而且毫无保留的将自己的学识、经验、成果奉献、传授给年轻一代，为推进人才培养做出了卓越贡献。在此祝福王院士的学术之树常青，生命之水长流。

王占国院士的同事、朋友、学生等纷纷进行了发言，回顾了王占国院士的学习生活和工作经历，介绍了王占国院士的学术成就与科研贡献，回忆了与王占国院士在一起的美好时光，赞叹王占国院士的爱国奉献、谦虚正直的优秀品质，感谢王占国院士多年来对青年学子的关怀提携，感谢王占国院士对半导体材料科学事业的大力支持，大家共同祝愿王占国院士身体康健，科技之树常青。

王智杰简要介绍了半导体所材料科学重点实验室的情况和发展状况。他谈到，实验室经过30多年的努力，薪火传承，继往开来，一步一个坚实的脚印，在低维半导体光电子材料、器件与集成、高温及高迁移率微电子材料与器件和单晶衬底及特殊环境半导体材料等方面取得了长足的发展。

王占国院士在答谢讲话中指出，感谢大家在百忙之中前来参加此次会议，感谢与他一同并肩战斗的同事们。他指出，在大家的努力下，材料科学重点实验室历经30年的发展，在半导体低维结构和量子器件研究、用于光通信的DFB激光器和电吸收器调制器研究等方面取得了国内领先、国际先进水平的成绩，但与国家重点实验室的需求还有一定差距。他希望实验室提高科研水平，引进领军人才，为国家和研究所作出更大的贡献，为中华民族伟大复兴贡献力量。王占国还谈到自己在科研方面的体会：一是作为科技工作者要实事求是、坚持真理；二是不盲从权威，敢于挑战科学难题；三是要有不耻下问、打破砂锅问到底的精神。

下午，刘会赟、陆沅、张子旸、丛光伟、廖梅勇、卓宁、赵超分别作了学术报告，就先进半导体材料与器件的前沿进展发表了各自的学术观点。会议取得圆满成功。

王占国院士致答谢词

中科院副院长、中国科学院大学党委书记、校长李树深讲话

中科院学部工作局副局长苏荣辉宣读中国科学院院长、党组书记、学部主席团执行主席白春礼院长贺信

大会合影