1. 金属有机物化学气相淀积设备的多层流反应室结构 ZL200410098995.6
2. 具有外加磁场的深能级瞬态谱测量装置与测量方法 ZL 200410078254.1
3. 一种在硅衬底上生长高质量氮化铝的新方法 ZL200410047945.5
4. 偏振不灵敏半导体光放大器的制作方法 L200310116471.0
5. 用于电调制光致发光光谱测量的样品架 ZL200410098995.6
6. 在硅衬底上低温生长高结晶质量氧化锌薄膜的方法 ZL 200410056958.9
7. 新型蓝光、黄光量子阱堆叠结构白光发光二极管及制作方法 ZL 200410057150.2
8. 双波导技术制作半导体激光器和模斑转换器的方法 ZL 200410081009.6
9. 具有波长蓝移效应的掩埋异质结构半导体光器件及方法 ZL 200510011848.5
10. 一种氢致解耦合的异质外延用柔性衬底 ZL 03155388.5
11. 利用砷化铟-铟铝砷叠层点制备砷化铟纳米环的生长方法 ZL 200510054469.4
12. 激光器－电吸收调制器－模斑转换器单片集成的制作方法 ZL 200410098493.3
13. 制备长波长应变铟镓砷/铟镓砷磷量子阱激光器的方法 ZL 200510059189.2
14. 高结晶质量氮化铟单晶外延膜的方法 ZL.200410046194.5
15. 低能氧离子束辅助脉冲激光沉积氧化物薄膜的方法 ZL 200410044605.7
16. 利用氧化锌缓冲层生长单晶氧化锌薄膜的方法 ZL 200510062743.2
17. 氮化镓高电子迁移率晶体管的结构及制作方法 ZL 200410046195.X
18. 降低磷离子注入（0001）取向的4H-SiC电阻率的方法 ZL200410049770.1
19. 制造半导体双极器件的方法 ZL 200410007873.1
20. 用于波长转换的半导体光学放大器的制备方法 ZL 200410088915.9
21. 在硅衬底上生长无裂纹3族氮化物薄膜的方法 ZL 200410004028.9
22. 生长高迁移率氮化镓外延膜的方法 ZL 200410046040.6
23. 生长高阻氮化镓外延膜的方法 ZL 200410046039.3
24. 波长可调谐分布布拉格反射半导体激光器的制作方法 ZL 03106828.6
25. 电泵浦边发射半导体微腔激光器的制作方法 ZL.200310123450.1
26. 矩阵寻址的垂直腔面发射激光器阵列器件 ZL200310119646.3
27. 半导体激光器芯片频率响应的测量方法 ZL03107378.6
28. 磁控溅射靶的制造方法及该方法使用的模具 ZL 03147652.X
29. 高速电吸收调制器的制作方法 ZL 03 1 09215.2
30. 化学原料新型配送系统 ZL 02108158.1
31. 无破坏性检测高电子迁移率晶体管外延材料性能的方法 ZL 03107705.6
32. 连续自对准半导体光电子器件与模斑转换器的集成 ZL 02 1 03495.8
33. 半导体激光器安装对准和校准的方法 ZL 03131004.4
34. 一种自组织量子点为有源区的超辐射发光管 ZL 02 1 47587.3
35. 一种制作白光发光二极管的方法 ZL 02 1 28518.7
36. 磁性p-n结薄膜材料及制备方法 ZL 02105698.6
37. 制备低温超薄异质外延用柔性衬底的方法 ZL 02142452.7
38. 波长可调谐分布布拉格反射激光器的制作方法 ZL02 1 48073.7
39. 混合有机镓源选择区域生长镓铟砷磷多量子阱的方法 ZL01 1 40499.X
40. 多量子阱波导对接方法 ZL02 1 24387.5
41. 偏振可控光电子器件的制作方法 ZL 01 1 15459.4
42. 半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法 ZL 01 1 24213.2
43. III族氮化物单/多层异质应变薄膜的制作方法 ZL 01 1 00454.1
44. 自钝化非平面结三族氮化物半导体器件及其制造方法 ZL 00132745.3
45. 高P型载流子浓度的氮化镓基化合物薄膜的生长方法 ZL 01 1 00889.X
46. 磁性半导体/半导体异质液相外延生长方法 ZL 00 1 29590.X
47. 半导体面发光器件及增强横向电流扩展的方法 ZL 00120889.6
48. 一种高温碳化硅半导体材料制造装置 ZL 00 1 09107.7