1.        杨少延，陈涌海，李成明，范海波，王占国，发明专利:利用可协变衬底制备生长氧化锌薄膜材料的方法，专利号：ZL200610003072.7，申请日: 2006.2.8 ，授权日：2008.10.8

2.        杨少延，柴春林，刘志凯，陈涌海，陈诺夫，王占国，发明专利：利用离子束外延生长设备制备氮化锆薄膜材料的方法，专利号：ZL200410009815.2，申请日: 2004.11.18, 授权日：2008.10.8

3.        杨少延，柴春林，刘志凯，陈涌海，陈诺夫，王占国，发明专利：利用离子束外延生长设备制备氮化铪薄膜材料的方法，专利号：ZL20041009816.7，申请日: 2004.11.18, 授权日：2008.10.8

4.        杨少延，柴春林，刘志凯，陈涌海，陈诺夫，王占国，发明专利：一种制备金属锆薄膜材料的方法，专利号：ZL200410101885.0，申请日: 2004.12.30, 授权日：2008.8.13

5.        杨少延，柴春林，刘志凯，陈涌海，陈诺夫，王占国，发明专利：一种制备金属铪薄膜材料的方法，专利号：Zl200410098996.0，申请日: 2004.12.23，授权日：2008.7.9

6.        杨少延，柴春林，刘志凯，陈涌海，陈诺夫，王占国，发明专利：一种制备二元稀土化合物薄膜材料的方法，专利号：ZL200410101884.6，申请日: 2004.12.30, 授权日：2008.10.8

7.        吴洁君，黎大兵，陆 沅，韩修训，李杰民，王晓晖，刘祥林，王占国，发明专利：自适应柔性层制备无裂纹硅基Ⅲ族氮化物薄膜的方法，专利号：ZL 200410048229.9，申请日：2004.06.15，授权日：2008.2.13

8.        梁松，朱洪亮, 无铝1.3um铟砷/镓砷量子点激光器, ZL200510011352.8, 申请日, 2005.2.25, 授权日, 2008.1.23

9.        侯廉平，王圩，朱洪亮, 一次外延形成半导体激光器和模斑转换器的方法, ZL200410081008.1, 申请日, 2004.9.30, 授权日, 2008.3.12

10.    朱洪亮，李宝霞，张靖，王圩, 选择区域外延生长叠层电吸收调制激光器结构的制作方法, ZL200510004571.3, 申请日, 2005.1.18, 授权日, 2008.4.23

11.    李宝霞，张靖，杨华，王圩, 用于电吸收调制半导体激光器高频封装的热沉, ZL200510090643.0, 申请日, 2005.8.18, 授权日, 2008.5.28

12.    冯文，潘教青，赵玲娟，朱洪亮，王圩, 窄条选择区域外延技术制作铝铟镓砷掩埋脊波导激光器及方法, ZL2005 1 0073984.7, 申请日, 2005.5.27, 授权日, 2008.10.15

13.  刘力锋, 陈诺夫, 尹志岗, 杨霏,柴春林, 在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰硅薄膜的方法, ZL 2005 1 00797202, 授权日 2008-02-13

14.  彭长涛, 陈诺夫, 吴金良, 陈晨龙, 在镓砷衬底上生长铟砷锑薄膜的液相外延生长方法, ZL 2004 1 0096744.4

15.  陈涌海、张春玲、崔草香、徐波、金鹏、刘峰奇、王占国；在解理面上制作半导体纳米结构的方法，专利号：ZL200410069295.4

16.    李凯, 叶小玲, 王占国，砷化镓衬底上制备纳米尺寸坑的方法，国家发明专利，ZL 2005 1 0084357.3, 授权时间：2008.1.23

17.    于理科, 徐波, 王占国, 金鹏, 赵昶, 张秀兰,一种亚分子单层量子点激光器材料的外延生长方法，国家发明专利，ZL 2005 1 0086313.4, 授权时间：2008.2.13

18.    车晓玲, 刘峰奇，黄秀顷，雷文，刘俊歧，王占国，一种多孔磷化铟的电化学池设计及电化学腐蚀体系及方法, ZL 200410049950.X, 2008-01-23

19.    彭文琴, 曲胜春，王占国，氧化锌-纳米材料的制备方法, ZL.200510076326.3, 2008.03.05

20.    王晓亮, 王翠梅, 胡国新，王军喜，李建平，曾一平，李晋闽，改善氮化镓基高电子迁移率晶体管栅极肖特基性能的结构, ZL 200410101891.6, 2008-04-23

21.    郭瑜, 刘峰奇，刘俊歧，王占国，单模量子级联激光器的器件结构及制作方法, ZL. 200510126478.X, 2008-05-28

22.    王翠梅, 王晓亮, 胡国新，王军喜，李建平，曾一平，李晋闽，提高氮化镓基高电子迁移率晶体管性能的结构及制作方法, ZL. 200410009922.5, 2008-06-25

23.    王元立, 吴巨，金鹏, 叶小玲, 张春玲，黄秀顷，陈涌海，王占国，以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法, ZL.200510012105.X, 2008-07-02

24.    沈文娟, 曾一平，王启元，王俊，利用缓冲层在硅衬底上生长氧化锌薄膜的方法, ZL. 200510062744.7, 2008-9-3

25.    王晓亮, 胡国新，王军喜，王翠梅，曾一平，李晋闽，铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的制作方法, ZL.200410071058.1, 2008-9-10

26.    王晓亮, 王翠梅, 胡国欣, 王军喜, 李建平, 曾一平, 李晋闽, 双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及其制作方法, ZL 2004 1 0009990.1

27.    李路, 刘峰奇，周华兵，梁凌艳，吕小晶，用固态磷裂解源炉分子束外延磷化铟材料的方法, ZL. 200510126237.5, 2008-9-24

28.    张兴旺, 陈诺夫， 一种在立方氮化硼薄膜上制备良好欧姆接触的方法, ZL. 200510090638.X, 2008-10-08

29.    王晓峰, 曾一平，中浓度P型掺杂透射式砷化镓光阴极材料及其制备方法, ZL.200310121794.9, 2008-10-15

30.    李艳丽, 陈诺夫，刘力锋，尹志岗，杨霏，柴春林，一种制备三元高K栅介质材料的方法, ZL.200410009860.8, 2008-12-10

31.    谢红云, 王圩,王宝军, 周帆,  同一半导体芯片不同周期全息光栅的制作方法,  200410088728

32.    谢红云, 王保军,周帆,王圩, 波长可选分布反馈激光器二维阵列集成组件,  200610001812

33.    赵谦;潘教清;周帆;王宝军;王圩, 一种产生超短光脉冲的单片集成器件的制作方法, 200410009859