1.      砷化铟和砷化镓的纳米结构及其制作方法, 赵超, 徐波，陈涌海，金鹏，王占国，申请日2006.12.31, 专利号ZL.200610171666.9, 授权日2009.03.11

2.      砷化镓基量子级联半导体激光器材料及生长方法, 李路, 刘峰奇，刘俊歧，郭瑜，周华兵，梁凌艳，吕小晶，申请日2005.11.23, 专利号ZL. 200510086962.4, 授权日2009-01-14

3.      宽光谱砷化铟/砷化铝镓量子点材料生长方法, 刘宁, 金鹏，王占国，申请日2006.03.16, 专利号ZL. 200610064883.8, 授权日2009-02-04

4.      一种半导体晶片亚表面损伤的测量方法, 陈涌海, 王占国，申请日2005.07.14, 专利号ZL. 200510012173.6, 授权日2009-02-11

5.      一维光子晶体调制的量子级联激光器管芯结构及制造方法, 邵烨, 刘峰奇，刘俊歧，李路，申请日2006.06.07, 专利号ZL. 200610012127.0, 授权日2009-02-11

6.      半导体材料残余应力的测试装置及方法, 陈涌海, 赵玲慧，曾一平，李成基，申请日2005.03.17, 专利号ZL. 200510055896.4, 授权日2009-03-11

7.      砷化镓/砷化铝分布布拉格反射镜的湿法腐蚀方法, 李若园, 徐波，王占国，申请日2006.04.26, 专利号ZL.200610011792.8, 授权日2009-03-04

8.      吸收型增益耦合分布反馈布拉格光栅的制作方法, 冯文,王宝军，潘教青，赵玲娟，朱洪亮，王圩，申请日 2006.07.05, 专利号ZL. 200610089590.5, 授权日2009-03-11

9.      宽光谱、大功率的半导体超辐射发光二极管及制作方法, 李宝霞, 张靖，赵玲娟，王圩，申请日2005.04.04, 专利号ZL.200510056278.1, 授权日2009-02-11

10.  利用凹区作选择区域外延制作平面型集成有源波导的方法, 朱洪亮,侯廉平，杨华，梁松，王圩，申请日 2006.02.21, 专利号ZL.200610007846.3, 授权日2009-09-09

11.  双轨道太阳同步跟踪装置, 陈诺夫, 吴金良，陈晨龙，董毅，申请日2006.08.25, 专利号ZL. 200610109940.X, 授权日2009-03-04

12.  砷化镓/锑化镓迭层聚光太阳电池的制作方法, 陈诺夫,白一鸣，梁平，王晓晖， 申请日2005.07.25, 专利号ZL.200510084937.2, 授权日2009-08-05

13.  一种制备六角有序FePt纳米颗粒阵列的方法, 屈盛, 张兴旺，陈诺夫，申请日2006.09.20, 专利号ZL.200610113239.5, 授权日2009-03-04

14.  用磁控溅射法在砷化镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法, 彭长涛, 陈诺夫，吴金良，尹志岗，杨霏，申请日2005-05-19, 专利号Zl. 200510011741.0, 授权日2009-02-04

15.  一种用于低能离子束材料制备方法的离子源装置, 杨少延, 刘志凯，柴春林，蒋渭生，申请日2003.12.22,  专利号ZL.200310121178.3, 授权日2009-04-22

16.  宽光谱砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料生长方法, 刘宁, 金鹏，王占国，申请日2006.01.26, 专利号ZL.200610002667.0, 授权日2009-05-13

17.  一种石墨清洗装置, 焦春美, 刘祥林，申请日2006.03.20, 专利号ZL. 200610064974.1, 授权日2009-05-27

18.  &掺杂制备P型氧化锌薄膜的方法, 魏泓源, 刘祥林，张攀峰，焦春美，王占国，申请日2007.04.05, 专利号ZL.200710065182.0, 授权日2009-07-08

19.  1.02-1.08微米波段InGaAs/GaAs量子点外延结构及其制造方法, 于理科, 徐波，王占国，金鹏，赵昶，张秀兰，申请日2005.8.31, 专利号ZL. 200510086314.9, 授权日2009-07-08

20.  在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法, 周慧英, 曲胜春，金鹏，徐波，王赤云，刘俊朋，王智杰，王占国，申请日2007.02.07, 专利号ZL.200710063705.8, 授权日2009-08-05

21.  金属有机物化学气相沉积设备反应室中的反烘烤沉积结构, 刘祥林、焦春美, 申请日2004.12.30, 专利号ZL. 200410101886.5, 授权日2009-07-08

22.  一种用于氧化锌外延薄膜生长的硅基可协变衬底材料, 杨少延, 范海波，李成明，陈涌海，王占国，申请日2006.12.28, 专利号ZL.200610169750.7, 授权日2009-09-30

23.  以二氧化硅为掩膜定位生长量子点的方法, 任芸芸, 徐波，周惠英，刘明，李志刚，王占国，申请日2007.05.31, 专利号ZL.200710099863.9, 授权日2009-12-02

24.  一种光瞬态自动测试系统, 蒋波，卢励吾，张砚华, 申请日2004.12.09, 专利号ZL. 200410009988.4, 授权日2009-01-07

25.  单结铟镓氮太阳能电池结构及制作方法, 王晓亮, 肖红领，杨翠柏，胡国欣，冉学军，王翠梅，张小宾，李建平，李晋闽，申请日2007.01.24, 专利号ZL.200710062978.0, 授权日2009-06-10

26.  碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法, 王晓亮, 胡国新，马志勇，冉学军，王翠梅，肖红领，王军喜，李建平，曾一平，李晋闽，申请日2006.01.18, 专利号ZL. 200610011228.6, 授权日2009-01-14

27.  宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法, 王晓亮, 马志勇，胡国新，肖红领，冉军学，王翠梅，罗卫军，申请日2006.09.01, 专利号ZL.200610127920.5, 授权日2009-10-28

28.  生长氮化铟单晶薄膜的方法, 王晓亮, 肖红领，胡国新，杨翠柏，冉学军，王翠梅，张小宾，李建平，李晋闽，申请日2007.01.24, 专利号ZL.200710062979.5, 授权日2009-11-11

29.  “METHOD FOR MANUFACTURING SELECTIVE AREA GROWN STACKED- LAYER ELECTRO-ABSORPTION MODULATED LASER STRUCTURE》, HongLiang Zhu  and Wei Wang, 2005.8.30, 美国专利, US7,476,558 B2，授权日2009．1．13