2010年实验室获得授权发明专利20项

1.      1.02-1.08微米波段InGaAs/GaAs量子点外延结构及其制造方法, 于理科，徐波，王占国，金鹏，赵昶，张秀兰, 2010.12.8, ZL.200910119057.2

2.      量子点光调制器有源区结构, 梁志梅、金鹏、王占国, 2010-02-10, ZL.200710175972.4

3.      长波长砷化铟/砷化镓量子点材料, 刘宁、金鹏、王占国, 2010.11.10, ZL 200610088947.8

4.      电吸收调制激光器和模班转换器的集成方法, 侯廉平，王圩，朱洪亮，周帆, 2010-04-14, ZL.200510088973.6

5.      行波电极电吸收调制器和模斑转换器集成器件的制作方法, 周静涛，王宝军、朱洪亮, 2010.4.7, ZL.200710099043.X

6.      低介电常数BCB树脂的固化方法, 程远兵, 周帆, 潘教青, 陈娓兮, 王圩, 2010-08-18, ZL.200810116413.0

7.      取样光栅分布布拉格反射半导体激光器的制作方法, 刘泓波, 赵玲娟, 潘教青, 朱洪亮, 王圩, 2010-10-27, ZL.200810116039.4

8.      借助保护层的取样光栅的制作方法, 王桓，阚强，周帆，王宝军，朱洪亮, 2010-12-8, ZL.200810116415.X

9.      折射面入光探测器的制作方法, 廖栽宜，张云霄，周帆，赵玲娟，王圩, 2010.12.01, ZL.200810115183.6

10.  一种增强氧化锌薄膜蓝光发射的方法, 张兴旺，游经碧，范亚明，屈盛，陈诺夫, 2010-06-02, ZL.200710177789.8

11.  单光路量子效率测试系统, 刘磊，陈诺夫，曾湘波，张汉，吴金良，高福宝, 2010-12-22, ZL. 2007 1  0122477.7

12.  采用氢致自催化法生长含铟氮化物纳米材料的方法, 康亭亭，刘祥林, 2010-06-23, ZL.200710120284.8

13.  一种生长氧化锌薄膜的装置及方法, 杨少延，刘祥林，赵凤瑷，焦春美，董向芸，张小沛，范海波，魏鸿源，张攀峰，王占国, 2010-02-17, ZL.200610169751.1

14.  高性能铟砷/镓砷量子点材料有源区的外延生长方法, 杨涛，季海铭, 2010-09-08, ZL.200810101761.0

15.  控制自组织铟镓砷量子点成核的生长方法, 梁凌燕，叶小玲，金鹏，陈涌海，徐波，王占国, 2010-09-01, ZL.200810102198.9

16.  具有外加磁场的深能级瞬态谱样品台装置及其测量方法, 卢励吾，张砚华，葛惟昆, 2010-05-12, ZL.200510130771.3

17.  氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法, 王晓亮，马志勇，冉学军，肖红领，王翠梅，胡国新，唐健，罗卫军, 2010-05-19, ZL.200710064383.9

18.  氮化镓基高电子迁移率晶体管结构, 王晓亮，唐健，肖红领，王翠梅，冉学军，胡国新，李晋闽, 2010-06-02, ZL.200710122478.1

19.  倒装双结铟镓氮太阳能电池结构, 王晓亮，杨翠柏，肖红领，胡国新，冉学军，王翠梅，张小宾，李晋闽, 2010-07-21, ZL.200710120608.8

20.  在硅衬底上的氮化镓薄膜结构及其生长方法, 王晓亮，罗卫军，郭伦春，肖红领，李建平，李晋闽, 2010-08-25, ZL.200810057890.4