科研成果
科研成果
您的位置:首页 > 科研成果

2013 发表论文

发布时间:2017-06-21 阅读次数:0

序号

论文题目

期刊名称及页码

作者

通讯作者

影响因子

1

Doping and electrical properties of cubic boron nitride thin films: A critical review

Thin Solid Films 544, 2-12

张兴旺

张兴旺

1.604

2

Efficiency enhancement of polymer solar cells by localized surface plasmon of Au nanoparticles

J. Appl. Phys. 114, 163102 

高红丽

张兴旺

2.21

3

Polystyrene-microsphere-assisted patterning of ZnO nanostructu

res: growth and characterization

J. Nanosci. Nanotechnol. 13, 1101-1105

董敬敬

张兴旺

1.149

4

Controllable synthesis of ZnO nanostructures on the Si sub-

strate by a hydrothermal route

Nanoscale Res. Lett. 8, 378

张兴旺

董敬敬

2.524

5

Ag nanoparticles preparation and their light trapping performance

Sci. China Tech. Sci. 56, 109-114 

白一鸣

白一鸣

1.187

6

High Response in Tellurium-Super-

saturated Silicon Photodiode

Chin.Phys. Lett.; Vol.30, Issue 3, pp. 036101 (2013)

王熙元

黄永光

0.811

7

Monolithically integrated 4-channel-selectable light sources fabricated by the SAG technology

IEEE Photonics Journal,Vol.5, Issue 4, pp.1400407 (2013)

张灿

朱洪亮,张灿

2.356

8

Multi-Channel DFB Laser Arrays Fabricated by SAG Technology

Optics Communication,

Vol.300, pp.230-235 

张灿

梁松

1.438

9

The fabrication of 10-channel DFB Laser Array by SAG technology

Optics Communications,Vol.311, pp.6-10 (2013),

张灿

梁松

1.438

10

Tunable DFB lasers integrated with Ti thin film heaters fabricated with a simple procedure

Optics & Laser Technology,Vol.54, Issue 30, pp.148-150 (2013)

张灿

张灿

1.365

11

Widely Tunable Dual-mode DFB Laser Fabricated by SAG Technolo-

gy Integrated with Ti-heaters

Optics Letters,Vol.38, Issue 16, pp.3050-3053 (2013)

张灿

张灿

3.385

12

Multi-Channel DFB Laser Array Fabricated by SAG with Optimized Epitaxy Conditions

Chinese Optics Letters,Vol.11, Issue 04, pp.041401 (2012)

张灿

梁松

0.968

13

Ultrathin Terahertz Planar Elements

Advanced Optical Materials,Volume 1, Issue 2, pages 186–191(2013)

阚强

张岩

0

14

Temperature Characteristics of Monolithically Integrated Waveleng-

th-Selectable Light Sources

Chinese Physics Letters,Vol.30, Issue 10, pp.108501(2013)

韩良顺

朱洪亮

0.811

15

1.06-μm InGaAs/GaAs multiple-

quantum-well optical thyristor lasers with a PiNiN structure

Optics Letters,Vol.38, Issue 22, 4868-4871 (2013) 

王火雷

潘教青

3.385

16

Generation and evolution of the terahertz vortex beam

Optics Express, Vol. 21, Issue 17, pp. 20230-20239 (2013)

阚强

王新轲

3.546

17

Hybrid InGaAsP-Si Evanescent Laser by Selective-Area Metal-Bonding Method

IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS,VOL. 25, Issue. 12, JUNE 15, pp.1180-1183(2013)

袁丽君

袁丽君

2.356

18

A Wavelength and Mode-Spacing Tunable Dual-Mode Distributed Bragg Reflector Laser

Photonics Technology Letters,vol. 25, no. 6, pp. 576–579, 2013 

余力强

余力强

2.356

19

Fabrication and Characterization of High Power 1064-nm DFB Lasers

Chinese Physics Letter,Vol.30, Issue 11, pp.114202 (2013)

谭少阳

谭少阳

0.811

20

InP based DFB laser array integrated with MMI coupler

Science China Technological Sciences,vol. 56, no. 3, pp. 573–578, 

朱洪亮

朱洪亮

1.187

21

Direct generation of broadband chaos by a monolithic integrated semiconductor laser chip

OPTICS EXPRESS,Vol. 21, No. 20,pp.23358

赵玲娟

夏光琼

3.546

22

Large Area Uniform Microstructures on Silicon Surface Created With a Picosecond Laser Beam Scanning

Advanced Materials Research,Vol.651, pp. 327-332 (2013)

王熙元

黄永光

0

23

Strain Distributions in Non-Polar a-Plane InxGa1-xN Epitaxial Layers on r-Plane Sapphire Extracted from X-Ray Diffraction

CHINESE PHYSICS LETTERS  卷: 30   期: 9     文献号: 098102 

赵桂娟

杨少延

0.811

24

Two dimensional electron gas mobility limited by scattering of quantum dots with indium composition transition region in quantum wells

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES  卷: 52   p150-154

刘长波

杨少延

1.522

25

Scattering due to large cluster embedded in quantum wells

APPLIED PHYSICS LETTERS  卷: 102   期: 5 文献号: 052105

刘长波

刘长波

3.794

26

Electron scattering in GaAs/InGaAs quantum wells subjected to an in-plane magnetic field 

JOURNAL OF APPL. PHYSICS  卷:113,  期: 21,文号:213711

金东东

杨少延

2.21

27

Scattering due to anisotropy of ellipsoid quantum dots in GaAs/InGaAs single quantum well

 J. OF APPLIED PHYSICS  卷: 113   期: 3 文献号: 033701

金东东

金东东

2.21

28

Dislocation Scattering in ZnMgO/ZnO Heterostructures 

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES  卷: 60   期: 6, 页: 2077-2079

桑玲

杨少延

2.062

29

X-ray probe of GaN thin films grown on InGaN compliant substrates

 APPLIED PHYSICS LETTERS  卷: 102   期: 13     文献号: 132104

徐小青

杨少延

3.794

30

Numerical study of radial temperature distribution in the AlN sublimation growth system

Cryst. Res. Technol. 48, No. 5, 321–327

李辉杰

杨少延

1.12

31

Scattering due to Schottky barrier height spatial fluctuation on two dimensional electron gas in AlGaN/

GaN high electron mobility transistors

APPLIED PHYSICS LETTERS 103, 232109 

李辉杰

杨少延

3.794

32

Determination of polar C-plane and nonpolar A-plane AlN/GaN heterojunction band offsets by X-ray photoelectron spectroscopy

Phys. Status Solidi B, 1–4 (2013) / DOI 10.1002/pssb.201350199

李辉杰

杨少延

1.489

33

Electron mobility limited by surface and interface roughness scattering in AlxGa1?xN/GaN quantum wells

Chin. Phys. B Vol. 22, No. 7 (2013) 077305

王建霞

杨少延

1.148

34

ITO-free and air stable organic light-emitting diodes using MoO3: PTCDA modified Al as semitransparent anode

Rsc Advances, 9509-9513.

楚新波

关敏

2.562

35

Influences of organic-inorganic interfacial properties on the performance of a hybrid near-infrared optical upconverter

Rsc Advances, 23503-23507.

楚新波

关敏

2.562

36

Growth of 4H-SiC epilayers with low surface roughness and morphological defects density on 4 degrees off-axis substrates

Applied Surface Science, 301-306

董林

董林

2.112

37

Characterization of Obtuse Triangular Defects on 4H-SiC 4 degrees off-Axis Epitaxial Wafers

Chinese Physics Letters, 096105

董林

董林

0.811

38

Analysis and modeling of localized faceting on 4H-SiC epilayer surfaces

Physica Status Solidi A2503-9.

董林

孙国胜

1.469

39

Effect of MoO3-doped PTCDA as buffer layer on the performance of CuPc/C60 solar cells.

Physica Status Solidi A1178-1182

关敏

关敏

1.469

40

Growth of Hexagonal Columnar Nanograin Structured SiC Thin Films on Silicon Substrates with Graphene-Graphitic Carbon Nanoflakes Templates from Solid Carbon Sources

Materials, 1543-1553

刘兴昉

刘兴昉

2.247

41

Surface saturation control on the formation of wurtzite polytypes in zinc blende SiC nanofilms grown on Si-(100) substrates

Chinese Physics B, 086802

刘兴昉

刘兴昉

1.148

42

Interfacial study and energy-band alignment of annealed Al2O3 films prepared by atomic layer deposition on 4H-SiC

Journal of Applied Physics, 044112

张峰

张峰

2.21

43

Atomic Layer Deposition of BiFeO3 Thin Films Using β-Diketonates and H2O

Journal of physical chemistry C, 24579–24585

张峰

张峰

4.814

44

Theoretical study of transport property in InAsSb quantum well heterostructures. 

Journal of Applied Physics, 153707

张雨溦

张杨

2.21

45

Transport properties in AlInSb InAsSb heterostructures

Journal of Applied Physics, 243710

张雨溦

张杨

2.21

46

High sensitivity Hall devices with AlSb/InAs quantum well structures.

Chinese Physics B, 057106

张杨

张杨

1.148

47

Ab initio theoretical and photoemission studies on formation of 4H-SiC(0001)/SiO2 interface

Applied Surface Science, 301-306

郑柳

张峰

2.112

48

High-performance 4H-SiC junction barrier Schottky diodes with double resistive termination extensions

Chinese Physics B, 097302.

郑柳

张峰

1.148

49

Fast Homoepitaxial Growth of 4h-Sic Films on 4° Off-Axis Substr-

ates in a SiH4+C2H4+H2 System.

Chinese Physics Letters, 128101.

刘斌

刘兴昉

0.811

50

Raman Spectra Analysis of GaN : Er Films Prepared by Ion Implantation

Spectroscopy and Spectral Analysis, 33,(2013) 699-703.

陶东言

刘超

0.293

51

Structural, morphological and magnetic characteristics of Tb-implanted GaN and AlGaN films

Materials Science and Engineering B, 178 (2013) 349-353

刘超

刘超

1.846

52

Structural, morphological and mag-

netic properties of AlGaN thin films co-implanted with Cr and Sm ions

Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 343, (2013) 65-68

刘超

刘超

1.826

53

Synthesis of chalcopyrite CuIn1?xGax

Se2 alloys for photovoltaic applica-

tion by a novel melting method

Materials Letters 106 (2013) 52–55

陈腾

陈腾

2.224

54

Improvement of surface quality of semi-insulating InP substrate through a new etching and cleaning method

Journal of Vacuum Science and Technology A ;页码:031404

刘京明

刘京明

1.432

55

High efficiency and high power continuous-wave semiconductor terahertz lasers at  3.1 THz

Solid-State Electronics,vol 81,68-71   

刘俊岐

刘俊岐

1.482

56

High-Power Distributed Feedback Terahertz Quantum Cascade Lasers

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,

vol 34, 1412

王涛

刘俊岐

2.789

57

Continuous-Wave Operation of Terahertz Quantum Cascade Lasers at 3.2 THz

CHIN. PHYS. LETT.,vol 30,064201

王涛

刘俊岐

0.811

58

19μm quantum cascade infrared photodetectors

APPLIED PHYSICS LETTERS,vol 102,191120

翟慎强

刘俊岐

3.794

59

The output power and beam divergence behaviors of tapered terahertz quantum cascade lasers

OPTICS EXPRESS,vol 21, 15998

刘俊岐

刘俊岐

3.546

60

Monolithically integrated terahertz quantum cascade array laser

ELECTRONICS LETTERS,vol 49,1632

陈剑燕

刘俊岐

1.038

61

High power terahertz quantum cascade laser

CHINESE OPTICS LETTERS,vol 11,S20401

陈剑燕

刘俊岐

0.968

62

Micro-Raman study on chirped
InGaAs–InAlAs superlattices

Phys. Status Solidi A,vol 210,2364

胡永正

王利军

1.469

63

Low-threshold, high SMSR tunable external cavity quantum cascade laser around 4.7 μm

Opt Quant Electron,vol 45, 1147

谭松

王利军

0.987

64

High power buried sampled grating distributed feedback quantum cascade lasers

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,vol 113,153101

张锦川

刘峰奇

2.21

65

High Performance Surface Grating Distributed Feedback Quantum Cascade Laser

IEEE PHOTONICS Technology Letters,vol 25, 686

张锦川

刘峰奇

2.038

66

High temperature operation of edge-emitting photonic-crystal distributed-feedback quantum cascadelasers at λ~ 7.6 μm

Physica E,vol 48, 42

张锦川

刘峰奇

1.522

67

Tunable Distributed Feedback Quantum Cascade Lasers by a Sampled Bragg Grating

IEEE Photonics Technology Letters,vol.25,1039

卓宁

张锦川

2.038

68

Surface emitting quantum cascade lasers operating in continuous-wave mode above 70  °C at λ~  4.6 μm

APPLIED PHYSICS LETTERS,vol 103,041121

姚丹阳

张锦川

3.794

69

High efficiency beam combination of 4.6-μm quantum cascade lasers

CHINESE OPTICS LETTERS,vol 11,091401

王利军

佟存柱

0.987

70

In-plane optical anisotropy of InAs/GaSb superlattices with alternate interfaces 

Nanoscale Research Letters  vol.8, 298 

武树杰

陈涌海

2.524

71

Identifying different mechanisms of circular photogalvanic effect in GaAs/Al0.3Ga0.7As two dimensional electron gas by photo-modulation technique 

APPLIED PHYSICS LETTERS 102, 232402 (2013)

马惠

陈涌海

3.794

72

Helicity dependent photocurrent enabled by unpolarized radiation in a GaAs/Al0.3Ga0.7As two-dimensional electron system 

APPLIED PHYSICS LETTERS 102, 212103 (2013)

马惠

陈涌海

3.794

73

Observation of circular dichroism in (001)-oriented P-I-N InGaAs/GaAs
quantum wells without magnetic field

APPLIED PHYSICS LETTERS 102, 072404 (2013)

俞金玲

陈涌海

3.794

74

Intrinsic photoinduced anomalous Hall effect in insulating GaAs/AlGaAs quantum wells at room temperature

APPLIED PHYSICS LETTERS 102, 202408 (2013)

俞金玲

陈涌海

3.794

75

In-plane optical anisotropy induced by asymmetrically δ-doping in (001)
GaAs/AlGaAs quantum wells studied by reflectance difference spectroscopy

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 113, 083504 (2013)

俞金玲

陈涌海

2.21

76

Investigation anisotropic mode splitting induced by electro-optic

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 114, 033511 (2013)

陈涌海(第二通讯作者)

陈涌海(第二通讯作者)

2.21

77

Raman study on zinc-blende single InAs nanowire grown on Si (111) substrate 

NANOSCALE RESEARCH LETTERS  vol.8, 27    

李天峰

李天峰

2.524

78

InAs-mediated growth of vertical InSb nanowires on Si substrates 

NANOSCALE RESEARCH LETTERS vol.8, 333     

李天峰

李天峰

2.524

79

Photoluminescence properties of porous InP filled
with ferroelectric polymers

Appl Phys A vol.111, no.3, pp695-699

贾彩虹

陈涌海

1.545

80

Control of epitaxial relationships of ZnO/SrTiO3

NANOSCALE RESEARCH LETTERS  vol.8, 23

贾彩虹

陈涌海

2.524

81

heterointerfaces by etching the substrate surface

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 113, 173508

张宏毅

陈涌海

2.21

82

Photo-instability of CdSe/ZnS quantum dots in poly(methylmethacrylate) film

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 114, 244308 (2013)

张宏毅

陈涌海

2.21

83

Wetting layer evolution and its temp-

erature dependence during selfas-

sembly of InAs/GaAs quantum dots

Nanoscale Research Letters 7, 600 (2012)

张宏毅

陈涌海

2.524

84

Tunable Surface Electron Spin Splitting with Electric Double-Layer
Transistors Based on InN

Nano Lett. 2013, 13, 2024?2029

陈涌海

陈涌海

13.025

85

Spectra of circular and linear photogalvanic effect at inter-band excitation in In0.15Ga0.85As/

Al0.3Ga0.7As multiple quantum wells 

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES  vol.49, 92-96 

陈涌海

陈涌海

1.522

86

Temperature dependence of anisotropic mode splitting induced by birefringence in an InGaAs/GaAs

/AlGaAs vertical-cavity surface-emitting laser studied by reflectance difference spectroscopy 

APPLIED OPTICS  vol.52, no.5, pp1035-1040 

陈涌海

陈涌海

1.689

87

Effect of polarization on intersubband transition in AlGaN/GaN multiple quantum wells

APPLIED PHYSICS LETTERS 102, 192109 (2013)

陈涌海

陈涌海

3.794

88

Anomalous circular photogalvanic effect of the spin-polarized two-dimensional electron gas in Mg0.2Zn0.8O/ZnO heterostructures
at room temperature

APPLIED PHYSICS LETTERS 102, 192405 (2013)

陈涌海

陈涌海

3.794

89

Cavity-Mode Calculation of L3 Photonic Crystal Slab Using the Effective Index Perturbation Method

OPTICAL REVIEW Vol.20, No.5 (2013) 420–425

张世著

张世著

0.702

90

Fabrication of Low-Density Long-Wavelength InAs Quantum Dots using a Formation-Dissolution

-Regrowth Method

CHIN. PHYS. LETT. Vol.30, No.8 (2013) 087804

张世著

叶小玲

0.811

91

Improved efficiency of InAs/GaAs quantum dots solar cells by Si-doping

Solar Energy Materials & Solar Cells, Vol. 113 (2013) pp.144-147.

杨晓光

杨晓光

4.63

92

InAs/InGaAsP/InP Quantum Dot Lasers Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

Chinese Physics Letters, Vol. 30, No. 6 (2013) 068101.

罗帅

罗帅

0.811

93

Impact of double-cap procedure on the characteristics of InAs/InGaAsP/InP quantum dots grown by metal-organic chemical vapor deposition

Journal of Crystal Growth, Vol. 375 (2013) pp. 100–103.

罗帅

罗帅

1.552

94

Synthesis, properties, and top-gated metal–oxide–semiconductor field-effect transistors of p-type GaSb nanowires

RSC Advances, Vol. 3 (2013) pp.19834-19839.

王小耶

杨涛

2.562

95

Anisotropic characteristics and morphological control of silicon nanowires fabricated by metal-assisted chemical etching

Journal of Materials Science vol.48, pp1755-1762

刘孔

曲胜春

2.163

96

Improved photovoltaic performance of silicon nanowire/organic hybrid solar cells by incorporating silver nanoparticles

Nanoscale research letters vol.8,88

刘孔

曲胜春

2.524

97

Ordered silicon nanowires prepared by template-assisted morphological design and metalassisted chemical etching

Materials Letters vol.101, pp96–98

刘孔

曲胜春

2.224

98

Nanotetrapods: quantum dot hybrid for bulk heterojunction solar cells

Nanoscale Research Letters vol.8, 434

曲胜春

曲胜春

2.524

99

Conjugated molecule doped polyaniline films as buffer layers in organic solar cells

Synthetic Metals vol. 178, pp18-21

曲胜春

曲胜春

2.109

100

Synthesis of silver quantum dots decorated TiO2 nanotubes and their incorporation in organic hybrid solar cells

Journal of Nanoparticle Research vol.15, 1844

曲胜春

曲胜春

2.175

101

Large enhancement of sub-band-gap light absorption of sulfur hyperdop-

ed silicon by surface dome structures

Materials Letters vol.107, pp50-52

曲胜春

曲胜春

2.224

102

Photovoltaic performance optimization of methyl 4-[6,6]-C61-benzoate based polymer solar cells with thermal annealing approach

Synthetic Metals vol.181, pp117-122

池丹

曲胜春

2.109

103

InAs/GaAs submonolayer quantum-

dot superluminescent diodes by Using with active multimode interferometer configuration

Chin. Phys. B 22 (4), 048102

李新坤

金鹏

1.148

104

A grating-coupled external cavity InAs/InP quantum dot laser with 85-nm tuning range

Chin. Phys. B 22 (9), 094211

魏恒

金鹏

1.148

105

A mode-locked external-cavity quantum-dot laser with a variable repetition rate

Chin. Phys. B 22 (10), 104206

吴剑

金鹏

1.148

106

Broadband Light Emission from Chirped Multiple InAs Quantum Dot Structur

Chin. Phys. Lett. 30 (11), 118102

吕雪芹

金鹏

0.811

107

Vacuum Rabi Splitting of Exciton–

Polariton Emission in an AlN

Sci. Rep.3, 3551

王维颖

康俊勇

2.927

108

Optical investigation of strong exciton localization in high Al composition AlxGa1-xN alloys

Optics Express 21(21), 24497-24503

李维

秦志新

3.546

109

Numerical computation of pyramidal quantum dots with band non-parabolicity

Superlattices and Microstructures vol.61,pp 81–90

王占国

龚亮

1.564

110

Influence of Schottky drain contacts on the strained AlGaN barrier layer of AlGaN_AlN_GaN heterostructure field-effect transistors

Chin. Phys. B Vol. 22, No. 4, 047102

王占国

林兆军

1.148

111

Electron mobility in the linear region of AlGaN_AlN_GaN heterostructure field-effect transistor

Chin. Phys. B Vol. 22, No. 6, 067203

王占国

林兆军

1.148

112

The effect of magnetic ordering on light emitting intensity of Eu-doped GaN

J. Phys. D: Appl. Phys. Vol. 46, 215101

孟宪权

孟宪权

2.528

113

High performance AlGaN/GaN power switch with Si3N4 Insulation

Eur.Phys.J.Appl.Phys              61:10101

林德峰

王晓亮

0.71

114

Bipolar characteristics of AlGaN/AlN/GaN/AlGaN double heterojunction structure with AlGaN as buffer layer

Journal of Alloys and Compounds   576:48–53

彭恩超

王晓亮

2.39

115

Growth and characterization of AlGaN/AlN/GaN/AlGaN double heterojunction structures with AlGaN as buffer layers

Journal of Crystal Growth         383:25–29

彭恩超

王晓亮

1.552

116

Tunable density of two-dimensional electron gas in GaN-based heterostructures: The effects of buffer acceptor and channel width

Journal of Applied Physics        114:154507

彭恩超

王晓亮

2.21

117

The Valence Band Offset of an Al0.17Ga0.83N/GaN Heterojunction Determined by X-Ray Photoelectron Spectroscopy

Chinese Physics Letter            30:057101

万晓佳

王晓亮

0.811

118

Theoretical simulations of InGaN/Si mechanically stacked two-junction solar cell

Physica B                         414:110–114

李志东

王晓亮

1.327

119

Growth and Fabrication of InGaN/ GaN Multi-Quantum Well Solar Cells on Si(111) Substrates

Chinese Physics Letters           30:068402

李志东

王晓亮

0.811

120

Dielectric and barrier thickness fluctuation scattering in Al2O3/AlGaN/GaN double.

Thin solid films 534(2013)655-658

刘贵鹏

吕燕伍

1.604

121

Numerical analysis on quantum dots-in-a-well structures by finite difference method

Superlattices and Microstructures 60 (2013) 311–319

朱勤生

朱勤生

1.564

122

A Chirped Subwavelength Grating With Both Reflection and Transmission Focusing,

IEEE Phtonics Journal, Vol.5, No.2, 2200907

Hongyan Yu

潘教青

2.356

  1.  

Large Area Uniform Microstructures on Silicon Surface Created With a Picosecond Laser Beam Scanning

Advanced Materials Research Vol.651, pp. 327-332 (2013)

王熙元

黄永光

EI

  1.  

Formation of single crystalline tellurium supersaturated silicon pn junctions by ion implantation followed by pulsed laser melting

Journal of Semiconductor Vol.34, Issue 6, pp. 063001 (2013)

王熙元  

黄永光

EI

  1.  

半导体锁模激光器的最新研究进展

激光与光电子学进展2013年05期

王火雷 

王火雷

EI

  1.  

飞秒激光与准分子激光制作碲掺杂硅探测器

中国激光Vol.40, Issue 3, pp. 302001 (2013)

王熙元 

朱洪亮

EI

  1.  

采用IFVD量子阱混杂技术制备电吸收调制分布反馈激光器

光电子?激光,Vol.24, Issue 8, pp.1451-1455 (2013)

张灿 

张灿

EI

  1.  

单片集成10信道多波长光源

中国激光,Vol.40, Issue 12, pp.4012001

-1-5 (2013)

张灿 

张灿

EI

  1.  

Defect Revelation and Evaluation of 4H Silicon Carbide by Optimized Molten KOH Etching Method

Silicon Carbide and Related Materials

董林

孙国胜

EI

  1.  

4H-SiC Epitaxial Growth by Warm-wall Planetary Reactor

Silicon Carbide and Related Materials

董林

孙国胜

EI

  1.  

Structural and Magnetic Properties of Yb-Implanted GaN.

Journal of Semiconductors

尹春海

刘超

EI

  1.  

II-VI族材料在叠层太阳能电池中的应用

真空科学与技术学报, 33 (2013) 271-276

杨秋旻

曾一平

EI

  1.  

快速退火对ZnTe外延层性能及In 电极的影响

半导体技术, 38 (2013) 110-113

杨秋旻

曾一平

EI