序号 | 授权号 | 专利名称 | 发明人 | 授权日 |
1 | ZL.201310308727.1 | 光栅分布反馈量子级联激光器 | 张锦川，刘峰奇, 卓宁, 王利军, 刘俊岐, 王占国 | 2016-02-24 |
2 | ZL.201310652143.6 | 高功率低发散角的半导体太赫兹垂直面发射激光器 | 王涛，刘俊岐, 刘峰奇, 张锦川, 王利军, 王占国 | 2016-04-20 |
3 | ZL.201410035355.4 | 硫族元素超饱和掺杂硅红外探测器及其制作方法 | 王科范，彭成晓, 刘孔, 谷城, 曲胜春, 王占国 | 2016-04-27 |
4 | ZL.201410083290.0 | 输出功率和光谱形状独立可调的发光二极管的制作方法 | 陈红梅，金鹏, 王占国 | 2016-04-27 |
5 | ZL.201310447427.1 | 可调谐分布反馈量子级联激光器阵列器件及其制备方法 | 闫方亮，张锦川, 姚丹阳, 谭松, 王利军, 刘峰奇, 王占国 | 2016-06-29 |
6 | ZL.201410520059.3 | 一种改善面发射半导体激光器慢轴远场的金属天线结构 | 姚丹阳，张锦川, 周予虹, 贾志伟, 闫方亮, 王利军, 刘俊岐, 刘峰奇, 王占国 | 2016-08-10 |
7 | ZL.201310585868.8 | 提高AlN外延薄膜荧光强度的方法 | 王维颖，毛德丰, 李维, 金鹏, 王占国 | 2016-08-17 |
8 | ZL.201310705313.2 | 一种可调谐衬底发射量子级联激光器阵列器件 | 闫方亮，张锦川, 姚丹阳, 卓宁, 王利军, 刘峰奇, 王占国 | 2016-08-17 |
9 | ZL.201310504071.0 | 一种低发散角分布反馈量子级联激光器结构及制作方法 | 张锦川，刘峰奇, 闫方亮, 姚丹阳, 王利军, 刘俊岐, 王占国 | 2016-09-14 |
10 | ZL.201410121021.9 | 近零偏时半导体红外光电探测器表面暗电流的测量方法 | 李琼，马文全, 张艳华, 黄建亮 | 2016-09-14 |
11 | ZL.201310135986.9 | 一种在GaAs衬底上外延生长InAs/GaSb二类超晶格的方法 | 郭晓璐，马文全, 张艳华 | 2016-09-28 |
12 | ZL.201310019627.7 | ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法 | 李梦珂，周旭亮, 于红艳, 李士颜, 米俊萍, 潘教青 | 2016-01-13 |
13 | ZL.201310061105.3 | 在Si基上制备InP基HEMT的方法 | 李士颜，周旭亮, 于鸿艳, 李梦珂, 米俊萍, 潘教青 | 2016-01-13 |
14 | ZL.201310510520.2 | 一种硅基微腔激光器的制作方法 | 周旭亮，于红艳, 李梦珂, 潘教青, 王圩 | 2016-03-02 |
15 | ZL.201410027833.7 | 可实现波长宽调谐的分布反射布拉格激光器及其制作方法 | 余力强，梁松, 赵玲娟, 张灿, 吉晨 | 2016-03-09 |
16 | ZL.201310023622.1 | 在Si基上制备InP基n-MOS器件的方法 | 李士颜，周旭亮, 于红艳, 李梦珂, 米俊萍, 潘教青 | 2016-03-30 |
17 | ZL.201310068749.5 | 一种硅基半绝缘III-V族材料的制备方法 | 周旭亮，于红艳, 李士颜, 潘教青, 王圩 | 2016-04-20 |
18 | ZL.201310069787.2 | 一种可用于硅基集成的HEMT器件及其制备方法 | 米俊萍，周旭亮, 于红艳, 李梦珂, 李士颜, 潘教青 | 2016-04-20 |
19 | ZL.201310503604.3 | 激光器阵列与合波器单片集成芯片的制作方法 | 梁松，朱洪亮, 王圩 | 2016-05-11 |
20 | ZL.201410031337.9 | 利用激光微区等离子体诱导量子阱混和的方法 | 黄永光，朱洪亮, 王宝军 | 2016-05-25 |
21 | ZL.201310060711.3 | 基于ART结构的硅基沟槽内生长GaAs材料的NMOS器件 | 李梦珂，周旭亮, 于红艳, 李士颜, 米俊萍, 潘教青 | 2016-08-03 |
22 | ZL.201310127562.8 | 选区外延单片集成的波长转换器件 | 牛斌，周代兵, 王保军, 边静, 赵玲娟, 王圩 | 2016-08-03 |
23 | ZL.201410077528.9 | 一种硅基半绝缘砷化镓衬底的制备方法 | 周旭亮，于红艳, 李士颜, 潘教青, 王圩 | 2016-08-24 |
24 | ZL.201410842021.8 | 一种直调式InP基单片集成少模光通信发射器芯片 | 张莉萌，陆丹, 赵玲娟, 余力强, 潘碧玮, 王圩 | 2016-11-02 |
25 | ZL.201310290296.0 | 一种提高聚合物太阳能电池效率的方法 | 高红丽，张兴旺, 张曙光, 尹志岗, 吴金良 | 2016-01-20 |
26 | ZL.201410085838.5 | 基于四方相铁酸铋的MFIS结构及制备方法 | 付振，尹志岗, 张兴旺, 赵亚娟, 陈诺夫, 吴金良 | 2016-09-14 |
27 | ZL.201310084016.0 | N型注入的红外至可见波长上转换装置及其制备方法 | 楚新波，关敏, 曾一平, 王宝强, 朱战平 | 2016-03-09 |
28 | ZL.201310315026.0 | 一种半导体薄膜生长装置及其生长方法 | 刘兴昉，刘斌, 郑柳, 董林, 刘胜北, 闫果果, 孙国胜, 曾一平 | 2016-03-09 |
29 | ZL.201410154760.8 | ALD设备及应用于ALD设备的反应源扩散分布检测与控制方法 | 赵万顺，张峰, 王雷, 曾一平 | 2016-03-09 |
30 | ZL.201410132967.5 | 用于SiC基MOS器件栅介质薄膜的制备方法 | 张峰，赵万顺, 王雷, 刘兴昉, 孙国胜, 曾一平 | 2016-04-20 |
31 | ZL.201310315012.9 | 一种碳化硅薄膜生长设备及其生长方法 | 刘兴昉，刘斌, 董林, 郑柳, 闫果果, 张峰, 王雷, 孙国胜, 曾一平 | 2016-05-18 |
32 | ZL.201210348006.9 | 双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法 | 王晓亮，王翠梅, 肖红领, 彭恩超, 冯春, 姜丽娟, 陈竑 | 2016-01-13 |
33 | ZL.201410018204.8 | 密封传动装置 | 王晓亮，崔磊, 肖红领, 殷海波, 冯春, 姜丽娟, 陈竑 | 2016-04-27 |
34 | ZL.201410092524.8 | 源输送混合比可调气路装置 | 王晓亮，肖红领, 陈竑, 殷海波, 冯春, 姜丽娟 | 2016-08-24 |
35 | ZL.201410764375.5 | 一种氮化铝一维纳米结构材料的制备方法 | 孔苏苏，李辉杰, 冯玉霞, 赵桂娟, 魏鸿源, 杨少延, 王占国 | 2016-01-13 |
36 | ZL.201310652125.8 | 利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法 | 杨少延，冯玉霞, 魏鸿源, 焦春美, 赵桂娟, 汪连山, 刘祥林, 王占国 | 2016-01-20 |
37 | ZL.201310651999.1 | 利用蓝宝石衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管的方法 | 杨少延，张恒, 魏鸿源, 焦春美, 赵桂娟, 汪连山, 刘祥林, 王占国 | 2016-06-01 |
38 | ZL.201410058985.3 | 缓解MOCVD工艺中硅衬底与氮化镓薄膜间应力的方法 | 冯玉霞，杨少延, 魏鸿源, 焦春美, 孔苏苏 | 2016-06-08 |
39 | ZL.201410147977.6 | 半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法 | 项若飞，汪连山, 赵桂娟, 金东东, 王建霞, 李辉杰, 张恒, 冯玉霞, 焦春美, 魏鸿源, 杨少延, 王占国 | 2016-08-17 |