序号 | 专利名称 | 专利号 | 授权日期 | 发明人 |
在硅上集成HEMT器件的方法 | ZL 201310023631.0 | 2015/1/20 | 米俊萍,周旭亮,于红艳,李梦珂,李士颜,潘教青 | |
硅基高迁移率沟道CMOS的制备方法 | ZL201310176286.4 | 2013.5.14 | 周旭亮，于红艳，李士颜，潘教青，王圩 | |
制备硅基砷化镓材料的方法 | ZL201210032751.2 | 2012.2.14 | 周旭亮，于红艳，张心，潘教青，王圩 | |
硅基III-V族nMOS的制作方法 | ZL201310068781.3 | 2013.3.5 | 周旭亮，于红艳，李梦珂，潘教青，王圩 | |
硅基高迁移率III-V/Ge沟道的CMOS制备方法 | ZL201310306968.2 | 2013.7.22 | 周旭亮，于红艳，李士颜，潘教青，王圩 | |
一种硅基高迁移率InGaAs沟道的环栅MOSFET制备方法 | ZL201310306847.8 | 2013.7.22 | 周旭亮，于红艳，李梦珂，潘教青，王圩 | |
低表面粗糙度的硅基砷化镓材料的制备方法 | ZL201310176608.5 | 2013.5.14 | 周旭亮;于红艳;米俊萍;潘教青;王圩; | |
Method of Manufactu- ring Si-based High-mobiity Group III-V/Ge Channel CMOS | 8987141.0 | 2013.7.22 | X. Zhou, H. Yu, S. Li, J. Pan, and W. Wang | |
一种分布布拉格反馈可调谐激光器及其制作方法 | CN103532014B | 2015.08.26 | 梁松;张灿;余力强;赵玲娟;朱洪亮;吉晨;王圩 | |
多波长激光器阵列芯片的制作方法 | CN103311807B | 2015.04.08 | 梁松;张灿;韩良顺;朱洪亮;王圩; | |
基于边入射光混频器的THz天线阵列 | CN102904068B | 2015.10.07 | 梁松;朱洪亮; | |
利用量子阱混杂制作多波长光子集成发射器芯片的方法 | ZL.201310370281.5 | 2015.09.30 | 张灿，梁松，朱洪亮；等 | |
一种制作发射极环绕型太阳电池的方法 | ZL.201310100049.X | 2015.06.03 | 朱洪亮，黄永光，等 | |
一种制作金属环绕型太阳电池的方法 | ZL.201310100046.6 | 2015.05.06 | 朱洪亮，黄永光，等 | |
一种表征聚合物太阳能电池光敏层相分离程度的方法 | ZL201310299682.6 | 2015.04.22 | 孟军华，张兴旺，高红丽，尹志岗，吴金良 | |
制备T相BiFeO3薄膜的方法 | ZL201310481726.7 | 2015.11.18 | 赵亚娟，尹志岗，张兴旺，付振，吴金良 | |
具势垒层的氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法 | ZL. 201310048977.6 | 2015年8月12日 | 王晓亮，彭恩超，王翠梅，肖红领，冯春，姜丽娟，陈竑 | |
铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法 | ZL. 201210467084.0 | 2015年11月18日 | 王晓亮，彭恩超，王翠梅，肖红领，冯春，姜丽娟，陈竑 | |
氮化铝单晶材料制备方法 | ZL. 201210332652.6 | 2015-2-18 | 杨少延，魏鸿源，焦春美，刘祥林 | |
一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法 | ZL. 201210325765.3 | 2015-9-9 | 王建霞，李志伟，赵桂娟，桑玲，刘长波，魏鸿源，焦春美，杨少延，刘祥林，朱勤生，王占国 | |
一种低发散角的面发射量子级联激光器结构 | Zl. 201310503782.6 | 2015-12-30 | 张锦川，姚丹阳，闫方亮，刘峰奇，王利军，刘俊岐，王占国 | |
用于超薄半导体芯片接触式曝光的方法 | ZL. 201310057280.5 | 2015-5-6 | 梁平，胡颖，刘俊岐，刘峰奇，王利军，张锦川，王涛，姚丹阳，王占国 | |
一种用于电子束蒸发的半导体外延片夹具 | Zl. 201210211614.5 | 2015-4-1 | 梁平，胡颖，刘俊岐，刘峰奇，王利军，张锦川 | |
制备超饱和硫系元素掺杂硅的方法 | ZL. 201210484770.9 | 2015/5/6 | 王科范，刘孔，曲胜春，王占国 | |
一种超饱和掺杂半导体薄膜的制备方法 | ZL. 201310157821.1 | 2015/10/21 | 王科范，张华荣，彭成晓，曲胜春，王占国 | |
复合构型可调谐光栅外腔双模激光器 | ZL. 201310193627.9 | 2015.12.02 | 金鹏，魏恒，吴艳华，陈红梅，王占国 | |
滤波式波长可调谐外腔激光器 | ZL. 201310071764.5 | 2015.04.15 | 魏恒，金鹏，王占国 | |
分布反馈式激光器及其制备方法 | Zl. 201310498595.3 | 2015.12.30 | 王火雷，米俊萍，于红艳，丁颖，王宝军，边静，王圩，潘教青 | |
一种制备基于量子点的空穴型存储器的方法 | ZL. 201310157698.3 | 2015.04.29 | 崔凯，马文全，张艳华 |