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发明人

1

选择区域外延自脉动DFB激光器的制作方法

ZL.201110415079.0

2013-2-6

张灿，朱洪亮，梁松，马丽

2

倒V型二氧化硅沟槽结构生长硅基砷化镓材料的方法

ZL.201110206340.6

2013-2-6

周旭亮，于红艳，王宝军，潘教青，王圩

3

制备硅基InGaAsP为有源区的1550nm激光器的方法

ZL.201210033017.8

2013-2-6

周旭亮，于红艳，王伟，潘教青，王圩

4

一种碳化硅同质PIN微结构材料及其制作方法

ZL.200910237845.1

2013-2-13

孙国胜, 刘兴昉, 王雷, 赵万顺, 杨挺, 吴海雷, 闫果果, 曾一平, 李晋闽

5

采用选区生长有源区的硅基850nm激光器的制备方法

ZL.201210032754.6

2013-4-17

周旭亮，于红艳，潘教青，王圩

6

基于硅基赝砷化镓衬底的850nm激光器的制备方法

ZL.201210057292.3

2013-4-17

周旭亮，于红艳，潘教青，赵玲娟，王圩

7

HTCVD法碳化硅晶体生长装置

ZL.201110264570.8

2013-6-12

刘兴昉，董林，郑柳，闫果果，王雷，赵万顺，孙国胜，曾一平，李晋闽

8

基于二维电子气材料的半导体磁敏型传感器及其制作方法

ZL.201110385093.0

2013-7-31

张杨，曾一平

9

氮化镓基高电子迁移率晶体管及制作方法

ZL.201110401468.8

2013-8-7

王晓亮，毕杨，王翠梅，肖红领，冯春，姜丽娟，陈竑

10

锥形光子晶体量子级联激光器及其制作方法

ZL.200910237094.3

2013-9-4

张伟, 王利军, 刘俊岐, 李路, 张全德, 陆全勇, 高瑜, 刘峰奇, 王占国

11

连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置

ZL.201110267894.7

2013-9-18

刘兴昉，郑柳，董林，闫果果，王雷，赵万顺，孙国胜，曾一平，李晋闽

12

制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法

Zl.201210150154.X

2013-9-18

罗帅，季海铭，杨涛

13

一种制作双波长分布反馈集成激光器的方法

ZL.201210154197.5

2013-9-25

朱洪亮，潘教青，赵玲娟，王宝军，王圩

14

增强型半导体-金属复合结构磁场传感器及其制备方法

ZL.201110459389.2

2013-11-6

尹志岗，张兴旺，吴金良，付振，张汉