| 专利名称 | 专利号 | 授权日 | 发明人 |
ZL 201110356474.6 | 2012.12.12 | 张灿，梁松，朱洪亮，马丽 | ||
应用于nMOS的硅基砷化镓材料结构的制备方法 | ZL 201110206037.6 | 2012.11.14 | 周旭亮，于红艳，王宝军，潘教青，王圩 | |
一种广谱吸收层黑硅太阳能电池结构及其制作方法 | ZL 201010113745.0 | 2012.02.08 | 朱洪亮，朱小宁，梁松，张兴旺，刘德伟，王圩 | |
一种制作黑硅材料的方法 | ZL 200910078865.9 | 2012.4.11 | 朱洪亮，梁松，韩培德,林学春，王宝华 | |
具有红外响应的表面纳米点硅光电探测器结构的制作方法 | ZL 201110155465.0 | 2012.07.04 | 刘德伟，黄永光，朱小宁，王熙元，朱洪亮 | |
电吸收调制器与自脉动激光器单片集成器件的制作方法 | ZL 200910078863.X | 2012.1.18 | 梁松, 孔端花, 朱洪亮, 王圩 | |
采用宽脉冲激光器光源扫描辐照制作黑硅材料的方法 | ZL 200910078864.4 | 2012.3.28 | 梁松, 朱洪亮, 林学春, 韩培德, 王宝华 | |
发明双极型晶体管与半导体激光器单片集成器件的制作方法 | ZL 201010269026.8 | 2012.7.11 | 梁松, 朱洪亮, 王圩 | |
分布放大的取样光栅分布布拉格反射可调谐激光器结构 | ZL201010564545.7 | 2012.05.23 | 刘扬, 赵玲娟, 朱洪亮, 潘教青, 王圩 | |
宽光谱大功率的半导体超辐射发光二极管及其制作方法 | ZL200810102201.7 | 2012.05.30 | 赵玲娟、张靖、王圩 | |
基于n-InP的单片集成的光逻辑门及其制作方法 | ZL 200910093299.9 | 2012.08.08 | 张云霄, 廖栽宜, 周帆, 赵玲娟, 王圩 | |
量子阱偏移光放大器和电吸收调制器的制作方法 | ZL 201010591447.2 | 2012.08.08 | 邵永波，赵玲娟，于红艳，潘教青，王宝军，王圩 | |
电吸收调制隧穿注入式分布反馈半导体激光器的制作方法 | ZL.200910237090.5 | 2012.08.22 | 汪洋, 赵玲娟, 朱洪亮, 王圩 | |
具有宽光谱响应的硅探测器结构及其制作方法 | ZL 201110256554.4 | 2012.10.31 | 刘德伟，黄永光，朱小宁，王熙元，马丽，朱洪亮 | |
制作ZnO基异质结发光二极管的方法 | 201010183370.5 | 2012.09.05 | 张曙光，尹志岗，张兴旺, 游经碧 | |
改善n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管电致发光性能的方法 | 201010607413.8 | 2012.07.04 | 张曙光，张兴旺，尹志岗，董敬敬，游经碧 | |
提高聚合物太阳电池效率的制备方法 | 201010554257.3 | 2012.06.27 | 谭海仁，张兴旺，高红丽，白一鸣，张秀兰，尹志岗 | |
制备c轴垂直取向图案化磁记录介质的方法 | 201010597849.3 | 2012.05.30 | 高云，张兴旺，尹志岗，屈盛，高红丽 | |
利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法 | ZL.201110113282.2 | 2012-7-4 | 时凯，刘祥林，魏鸿源，焦春美，王俊，李志伟，宋亚峰，杨少延，朱勤生，王占国 | |
一种非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法 | ZL 201110119981.8 | 2012-11-21 | 桑玲，王俊，魏鸿源，焦春美，刘祥林，朱勤生，杨少延，王占国 | |
锑化物高电子迁移率晶体管及其制造方法 | 200910236705.2 | 2012-6-20 | 李彦波, 张杨, 曾一平 | |
电学测试的汞探针装置 | 200810118013.3 | 2012-6-27 | 纪刚, 孙国胜, 宁瑾, 刘兴昉, 赵永梅, 王雷, 赵万顺, 曾一平, 李晋闽 | |
一种基于氧化物掺杂有机材料的有机太阳能电池结构 | 201010504161.6 | 2012-9-19 | 曹国华, 关敏, 李林森, 曾一平 | |
p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构及其制作方法 | ZL200810240351.4 | 2012-1-18 | 张小宾，王晓亮，肖红领，杨翠柏，冉军学，王翠梅，李晋闽 | |
用于金属有机物化学沉积设备的气路装置 | ZL201010033967.1 | 2012-6-6 | 冉军学, 王晓亮, 胡国新, 肖红领, 张露, 殷海波, 李晋闽 | |
Ⅲ-氮化物半导体材料pn结的制作方法 | ZL200910236706.7 | 2012-8-22 | 冉军学, 王晓亮, 李建平, 胡国新, 肖红领, 王翠梅, 杨翠柏, 李晋闽 | |
用于金属有机物化学沉积设备的衬托盘及其制作工艺 | ZL201010033965.2 | 2012-11-21 | 殷海波, 王晓亮, 胡国新, 冉军学, 肖红领, 张露, 李晋闽 | |
带有准光子晶体波导阵列的量子级联激光器及其制作方法 | ZL 201010175432.8 | 2012-1-25
| 尹雯，陆全勇，张伟，刘峰奇，张全德，刘万峰，江宇超，李路，刘俊岐，王利军，王占国 | |
垂直发射量子级联激光器结构 | ZL 201010171511.1 | 2012-3-28 | 郭万红，刘俊岐，陆全勇，张伟，江宇超，李路，王利军，刘峰奇，王占国 | |
斜腔面二维光子晶体分布反馈量子级联激光器及制备方法 | ZL 200910092876.2 | 2012-3-28
| 陆全勇，张伟，王利军，刘俊岐，李路，刘峰奇，王占国 | |
InP基长波长2-3μm准量子点激光器结构 | ZL 201010591575.7 | 2012-3-28 | 孔金霞，徐波，王占国 | |
一种调节GaAs基二维光子晶体微腔共振模式的方法 | ZL 200910083495.8 | 2012-4-25 | 彭银生，徐波，叶小玲，王占国 | |
一种测量光子晶体孔洞侧壁垂直度的方法 | ZL 200910081986.9 | 2012-4-25 | 彭银生，徐波，叶小玲，王占国 | |
用于半导体光放大器的宽增益谱量子点材料结构 | ZL 200910081987.3 | 2012-7-4 | 刘王来，叶小玲，徐波，王占国 | |
在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法 | ZL 201110100538.6 | 2012-09-05 | 汪明, 杨涛 | |
深紫外激光光致发光光谱仪 | ZL 201110087894.9 | 2012-8-15 | 金鹏，王占国 | |
条纹相机反射式离轴光学耦合装置 | ZL 201110133353.5 | 2012-10-3 | 金鹏，王占国 | |
MDMD-PPV包裹PbS量子点和纳米棒材料及电池的制备方法 | ZL 200810057181.6 | 2012-3-28 | 王智杰 | |
不同粒径银纳米颗粒修饰二氧化钛纳米管的制备方法 | ZL 201010256808.8 | 2012-6-27 | 谭付瑞，曲胜春，王占国 | |
定量检测痕量罗丹明6G的方法 | ZL 201010591599.2 | 2012-7-4 | 张君梦，曲胜春，张利胜，王占国 | |
制备不同应力密度分布的GaAs图形化衬底的方法 | ZL 201110009971.9 | 2012-11-14 | 金兰，曲胜春，徐波 |