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半导体材料高端制造与表征平台收费标准

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2019-4修订,特殊要求另议)

1.  量子点、量子级联工艺线

仪器设备

加工测试方法

收费标准

(所内)

收费标准

(所外)

备注

工艺人员

分子束外延生长系统(MBE)

InP基多层结构

基准费2000元, 8000元/小时

基准费4000元, 10000元/小时


刘峰奇

分子束外延生长系统(MBE)

GaAs基多层结构

基准费2000元, 5000元/小时

基准费4000元, 10000元/小时


刘峰奇

掩膜对准曝光机

光刻

500元/片

1000元/片


梁平 胡颖

表面轮廓测量系统

测量刻蚀深度

基准费100元,100元/点

基准费200元,200元/点


梁平 胡颖

双腔室PECVD/电子束蒸发镀膜

SiO2 /Si3N4绝缘层生长

500元/片,常规厚度350nm,每增加50nm收费100元,每增加1片加收500元

1000元/片,常规厚度350nm,每增加50nm收费200元,每增加1片加收800元


梁平 胡颖

双腔室PECVD/电子束蒸发镀膜

电子束蒸发 (Ti/Au)

3500元/片, 常规厚度250nm,每增加50nm收费800元;每增加1片加收800元

7000元/片, 常规厚度250nm,每增加50nm收费1600元;每增加1片加收1600元


梁平 胡颖

双腔室PECVD/电子束蒸发镀膜

腔面高反膜电子束蒸发(Au、Ti、Ge、Ni、Al2O3)

3500元/片

7000元/片

常规厚度100nm

梁平 胡颖

真空蒸发台(In)

蒸镀In

4000元/片, 常规厚度1um,每增加1um收费1000元

8000元/片, 常规厚度1um,每增加1um收费2000元


梁平 胡颖

真空蒸发台

金属热蒸发(AuGeNi/Au)

3500元/片, 常规厚度400nm,每增加50nm收费800元;每加1片收费800元

7000元/片, 常规厚度400nm,每增加50nm收费1600元;每加1片收费1600元


梁平 胡颖

等离子体去胶机

等离子去胶

100/

200元/次


梁平 胡颖

精密研磨抛光系统

减薄抛光

300元/样品

3000元/样品


梁平 胡颖

快速热处理设备

背电极合金

500元/次

1000元/次


梁平 胡颖

奥林巴斯MX51高分辨光学显微镜

拍摄高分辨光学显微图像,分辨率优于1微米

200元/片

400元/片


梁平 胡颖

清洁处理湿法腐蚀

样片清洁,光刻胶去除,氧化硅/氧化层去除,显影

单次工艺收取400元/片

单次工艺收取800元/片


梁平 胡颖

金丝球焊机

管芯烧结

电镀铟200/每次,解理、压焊、金丝、引线共100元/个

电镀铟400/每次,解理、压焊、金丝、引线共200元/个


梁平 胡颖

高精度粘片机

高精度烧结、键合

基准费:200元,甲酸处理:200元/次。贴片烧结200元/个。

基准费:800元,甲酸处理:400元/次。贴片烧结400元/个。


梁平 胡颖


技术服务费

免费

串线费:1000元/片

加工费总额的10~20%收取

梁平 胡颖


特殊工艺加工

按常规工艺的50~200%收取

按常规工艺的50~200%收取


刘俊岐

傅立叶变换远红外光谱仪Bruker E55

光荧光测试(室温)

基准费300元,150元/谱

基准费300元,300元/谱


王利军

光荧光测试(低温)

基准费600元,250元/谱

基准费600元,500元/谱


傅立叶变换远红外光谱仪Bruker V70

变温红外发射谱测试

基准费300元,150元/谱

基准费300元,300元/谱


王利军

变温光电流谱

基准费300元,150元/谱

基准费300元,300元/谱


拉曼光谱仪

微区Raman光谱

基准费300元,400元/测试点

基准费300元,800元/测试点


刘舒曼

原子力显微镜

AFM形貌

基准费300元,200元/样品

基准费300元,400元/样品


刘舒曼

原子力显微镜

AFM电学扫描

基准费100元,800元/样品

基准费100元,1600元/样品


刘俊岐

数字源表(吉时利2601)

I-V特性测试

200元/线

400元/线


刘舒曼

电化学CV测试系统

载流子浓度测试

基准费500元,200元/小时

基准费500元,400元/小时



 

2.  PIC 工艺线

仪器设备

加工测试方法

收费标准

(所内)

收费标准

(所外)

备注

工艺人员

MOCVD

选择外延



特殊条件另议

张瑞康,王伟

量子阱生长

2万元/片

3万元/片

依照结构、厚度以及数量定

接触外延

3万元/

4万元/

依照结构、厚度以及数量

ICP

InP/GaAs刻蚀

刻蚀深度<1μm500元。每增加1μm,加100

刻蚀深度<1μm1000元。每增加1μm,加200

开机费500

周代兵

PECVD

SiO2

40/100nm

80/100nm

开机费500

安欣

SiN

150/100nm

300/100nm

光刻机

光刻

500/

1000/

开机费300

王宝军

蒸发台

AuGeNi

1500/100nm

3000/100nm

开机费500

王皓

磁控溅射

Ti/Au

1500/100nmAu

3000/100nmAu

开机费500

周代兵

反应离子刻蚀设备

刻蚀

刻蚀深度<1μm500元。每增加1μm,加100

刻蚀深度<1μm500元。每增加1μm,加100

开机费500

周代兵

台式扫描电子显微镜

测试

300/小时

600/小时

开机费300

黄永光

Maping

PL测试

500/

1000/

开机费300

周旭亮

微区荧光光谱仪

PL测试

500/

1000/

开机费300

X射线双晶衍射

X射线衍射




周旭亮

高分辨XRD测试系统

ω/2θ扫描、摇摆曲线扫描、In-plane扫描、

200/

400/

开机费300

 

周旭亮

倒格矢扫描

200/小时

400/小时

周旭亮

解理


50元/只

100元/只


边静,安欣

烧结机

加工

100/(自带)

100/(自带)

开机费200

边静,安欣


200元/只(镀铟)

200元/只(镀铟)


200元/只(微带)

200元/只(微带)

镀铟

加工

电镀铟200/每次;处理200元/每次

电镀铟400/每次;处理400元/每次


管芯测试设备

PIV

50元/只.单参数

50元/只.单参数


边静,安欣

激光加工机

划片打孔打标

每个孔或者每条线10

每个孔或者每条线10元,量大协商

300元开机费

黄永光

PIC测试:

测试项目

所用设备仪表

测试平台

开机搭建费用

测试费用

工艺人员

单项测试项目

探针座+探针



100/小时

陆丹

变温测试



200/小时

陆丹

频谱仪


200

200/小时

陆丹

小信号测试

矢量网络分析测试

纯线缆

200

450/小时

陆丹

探针

400

600/小时

陆丹

变温+探针

500

650/小时

陆丹

脉冲测试

自相关仪脉冲宽度测试

光纤接口

100

300/小时

陆丹

空间光路+探针台

200

400/小时

陆丹

FROG

光纤接口

100

350/小时

陆丹

空间光路+探针台

200

450/小时

陆丹

直流测试

激光线宽测试

光纤接口

100

400/小时

陆丹

空间光路+探针台

200

500/小时

陆丹

Rin测试

光纤接口

100

300/小时

陆丹

空间光路+探针台

200

400/小时

陆丹

远场测试


100

200/小时

陆丹

PIV测试

探针台+积分球

100

300/小时

陆丹

无源测试

传输损耗测量

探针台+光纤对准

300

400/小时

陆丹

反射、透射、吸收光谱测试

光纤光谱仪

积分球+光源+光谱仪

200

400/小时

黄永光

 

3.GaN基微电子器件工艺线

仪器设备

加工测试方法

收费标准

(所内)

收费标准

(所外)

备注

工艺人员

MOCVD设备#1

2英寸GaN基材料外延

15000/

20000/

特殊条件另议

刘宏新

MOCVD设备#2

3英寸及以上尺寸GaN基材料外延

30000/

40000/

特殊条件另议

姜丽娟

变温霍尔测试系统

室温测试

300/样品

500/样品

开机费200/

冯春

低温变温(4.3K—300K

500/小时

800/小时


冯春

高温变温(300K—800K

500/小时

800/小时


冯春

室温变场(0-1.3T

500/小时

800/小时


冯春

非接触方块电阻测试系统

标准55点方块电阻测试

500/

800/


冯春

其他分布测试

600/

1000/


冯春

台阶仪

二维台阶高度扫描

100/样品

200/样品

开机费200/

肖红领

二维应力

200/样品

400/样品


三维台阶扫描

500/样品

800/样品


表面平整度测试系统

弯曲度、翘曲度、总厚度变化测试

500/

1000/

开机费200/

冯春

光学显微镜

显微镜观测

200/小时

400/小时


冯春

高分辨XRD测试系统

ω/2θ扫描、摇摆曲线扫描、In-plane扫描、

200/

400/


冯春

倒格矢扫描

200/小时

400/小时


冯春

光电效率测试系统

光电效率测试

400/

500/


冯春

高温恒温箱

室温-300℃恒温贮存

400/小时

600/小时


冯春

快速退火炉

0~500度,时间小于5分钟

100/

200/

升温速度等特殊要求的另议

肖红领

500~1000度,时间小于5分钟

150/

300/


1000~1300度,时间小于5分钟

200/

400/


磁控溅射

Ti金属沉积

200/100nm

400/100nm

开机费500/

肖红领

Al金属沉积

100/100nm

200/100nm


Ni金属沉积

200/100nm

400/100nm


Au金属沉积

250/100nm

500/100nm


PECVD

SiON沉积

200/100nm

400/100nm

开机费500/

肖红领

SiN沉积

150/100nm

300/100nm


SiO2沉积

40/100nm

80/100nm


ICP

SiO2/SiN/SiON刻蚀

刻蚀深度<500nm300元。每增加1um,加100

刻蚀深度<500nm500元。每增加1um,加100

开机费500/

肖红领

GaN/AlGaN刻蚀

刻蚀深度<500nm300元。每增加200nm,加100

刻蚀深度<500nm500元。每增加200nm,加100


InP/GaAs刻蚀

刻蚀深度<2μm300元。每增加1μm,加100

刻蚀深度<2μm500元。每增加1μm,加100


光刻系统

2寸以下基片光刻

100/片。反转胶增加50/

200/片。反转胶增加50/

开机费500/

肖红领

3寸基片光刻

200/片。反转胶增加100/

400/片。反转胶增加100/


4寸基片光刻

250/片。反转胶增加200/

500/片。反转胶增加200/


1~3um线宽、10*10mm2以下,或单边宽度小于10mm基片

200/

400/


等离子去胶

250/

400/


 


 

4. 材料生长与制备工艺线

仪器设备

加工测试方法

收费标准

(所内)

收费标准

(所外)

备注

工艺人员

磁控溅射

薄膜样品生长

1500元/样品

2000元/样品

另收开机费500元/次,特殊要求价格面议

尹志岗、吴金良

离子束溅射

薄膜样品生长

2000元/样品

2500元/样品

另收开机费500元/次,特殊要求价格面议

尹志岗、吴金良

CVD系统

薄膜样品生长

1500元/样品

2000元/样品

另收开机费500元/次,特殊要求价格面议

尹志岗、吴金良

旋涂机、热板、快速退火

二维材料转移

1000元/样品

1500元/样品

特殊要求价格面议


碳化硅外延设备

碳化硅外延

1500/10微米

3000/10微米

特殊条件另议

刘兴昉、赵万顺、王雷

Tel:010-82304101

高温退火

1000/4英寸

2000/4英寸

特殊条件另议

石墨烯生长

1000/4英寸

2000/4英寸

特殊条件另议

原子层沉积

氧化物生长

200元开机费,10/纳米

400元开机费,20/纳米

特殊条件另议

分子束外延

GaAs基外延生长

2500元/um

3000元/um

多层结构根据结构复杂性商定

曾一平、王保强、朱战平

Tel:010-82304450

InP基外延生长

3500/um

4000/um

低压液氮灌装

液氮灌装

4.5/L

6/L


王欣、王宝强、朱占平;Tel:010-82304450

石墨烯外延炉

G-RF-CVD-100

常规金属衬底石墨烯生长

1000/4英寸

2000/4英寸

特殊条件另议

刘兴昉、赵万顺、王雷

Tel:010-82304101

SiC、蓝宝石衬底石墨烯生长

2000/2英寸

3000/2英寸

特殊条件另议

SiSiO2SiNx衬底石墨烯生长

1000/4英寸

2000/4英寸

特殊条件另议

分子束外延设备CBE

有机薄膜沉积

800/

1000/

特殊条件另议

关敏

Tel:82304101

OLED器件

1500/

2000/

分子束外延

II-VI族(ZnTeCdTeCdSeZnSe)外延

所内8折优惠

3000/

特殊条件另议

刘超 崔利杰

Tel:82304101

快速热退火炉

快速热退火

所内8折优惠

300/

特殊条件另议

退火炉

室温-450℃退火(氮气气氛)

50/样品

60/样品

特殊条件另议

刘超 崔利杰

Tel:82304101

MOCVD

(自建设备)

薄膜材料生长

基准费2000元,1000/小时

基准费2000元,2000/小时

特殊条件另议

李辉杰,杨少延,魏鸿源

器件结构生长

基准费2000元,1500/小时

基准费2000元,3000/小时


纳米结构生长

基准费2000元,1000/小时

基准费2000元,1000/小时


HVPE

(自建设备)

GaN厚膜生长

基准费2000元,1000/小时

基准费2000元,2000/小时

特殊条件另议

李辉杰,杨少延,魏鸿源

AlN厚膜生长

基准费2000元,1500/小时

基准费2000元,3000/小时


纳米结构生长

基准费2000元,1000/小时

基准费2000元,2000/小时


MOCVD

(进口设备)

薄膜材料生长

基准费3000元,2000/小时

基准费3000元,4000/小时

特殊条件另议

汪连山,李辉杰

器件结构生长

基准费3000元,3000/小时

基准费3000元,6000/小时


纳米结构生长

基准费3000元,2000/小时

基准费3000元,4000/小时


快速退火炉

800℃以下退火

300/样品

600/样品

特殊条件另议

李辉杰,杨少延,魏鸿源

800℃以上退火

500/样品

1000/样品



真空烘烤

1000℃以下烘烤

500/小时

1000/小时

特殊条件另议

李辉杰,杨少延,魏鸿源

1000℃以上烘烤

800/小时

1600/小时


MBE Riber C21T

GaAsInP基材料外延生长

3000元+, 1000/小时

4500元+, 1500/小时

特殊结构另行计费

金鹏

MP-CVD AX5250

单晶金刚石生长(同质)

3000元+, 1000/小时

4500元+, 1500/小时

1p型掺杂样品另外增加500/小时;2n型掺杂样品另外增加1000/小时;3)单晶生长的衬底依据尺寸需另行计费

金鹏

多晶金刚石生长(Si衬底)

1000元+, 1000/小时

1500元+, 1500/小时


MP-CVD AX6500

单晶金刚石生长(同质)

3000元+, 1200/小时

4500元+, 1800/小时

1p型掺杂样品另外增加600/小时;2n型掺杂样品另外增加1200/小时;3)单晶生长的衬底依据尺寸需另行计费

金鹏

多晶金刚石生长(Si衬底)

1000元+, 1200/小时

1500元+, 1800/小时


阻蒸电子束蒸发联合镀膜机

蒸发AlAg

开机费500元,100nm以内400,每100nm200

开机费900元,100nm以内600,每100nm200

特殊条件另议

曲胜春,王智杰,刘孔

蒸发Au

开机费600元,100nm以内2000,每100nm1000

开机费900元,100nm以内3000,每100nm1500

特殊条件另议

Ca,MoO3,ZnS,TiO2

开机费600元,10nm以内300,每10nm200

开机费900元,10nm以内600,每10nm400

特殊条件另议

箱式退火炉

热退火,烧结

500℃以内200 元,每增加50℃加50元。

500℃以内400 元,每增加50℃加100元。

特殊条件另议

曲胜春,王智杰,刘孔

低维材料生长、器件制备平台

维材料生长加工、及器件制备

量子点200/样品

量子线200/样品

光电器件300/样品

量子点400/样品

量子线400/样品

光电器件600/样品

特殊条件另议

曲胜春,王智杰,刘孔

AIXTRON   3*2 FT CS16810

生长GaAs、InP系材料

1500(开机)+ 3000/小时

3000(开机)+5000/小时

特殊条件另议

杨涛,杨晓光、吕尊仁

分子束外延设备MBEVeeco Gen II

GaSb基多层结构

基准费2000元, 6000元/小时

基准费4000元, 10000元/小时

特殊条件另议

马文全,张艳华,黄建亮

InAs基多层结构

基准费2000元, 6000元/小时

基准费4000元,8000元/小时

特殊条件另议

InP基多层结构

基准费2000元, 7000元/小时

基准费4000元, 10000元/小时

特殊条件另议

GaAs基多层结构

基准费2000元, 5000元/小时

基准费4000元, 8000元/小时

特殊条件另议

MBERIBER 32P

GaAs(Al)GaAs(In)GaAs研究材料

1000/小时

1500/小时

包括准备时间;特殊条件另议

徐波

微电子、光电子器件材料

1500/小时

2250/小时

包括准备时间;特殊条件另议

MBERIBER Compact 21 III-V

GaAs(Al)GaAs(In)GaAs研究材料

1000/小时

1500/小时

包括准备时间;特殊条件另议

徐波,吕尊仁、杨晓光

微电子、光电子器件材料

1500/小时

2250/小时

包括准备时间;特殊条件另议

 

 

5. 材料测试与表征

仪器设备

加工测试方法

收费标准

(所内)

收费标准

(所外)

备注

工艺人员

原子力显微镜

形貌测试

400元/小时

500元/小时

另收开机费100元/次

尹志岗、吴金良

CAFM、PFM、KFM、MFM、EFM等多通道高级模式

1000元/小时

1500元/小时


尹志岗、吴金良

傅里叶红外光谱

透射反射测试

400元/小时

500元/小时

另收开机费100元/次

尹志岗、吴金良

量子效率测试

电池量子效率

300元/样品

400元/样品

另收开机费100元/次

尹志岗、吴金良

电池I-V测试

电池I-V测试

200元/样品

300元/样品

另收开机费100元/次

尹志岗、吴金良

霍尔测试仪

室温霍尔测试

150/样品

200/样品

量多有优惠

刘超、李弋洋、关敏

Tel 82304101

双温霍尔测试   300K+77K

300/样品

400/样品

低温变温霍尔测试(80K—300K

1500/样品

2000/样品

高温变温霍尔测试(300K—700K

1500/样品

2000/样品

探针台

I-V测试

80/样品

100/样品

四探针测试仪

四探针测试

80/样品

100/样品

光栅光谱仪

光吸收测试

150/样品

200/样品

光电导测试

150/样品

200/样品

变温测试台

热激电流测试

500/样品

600/样品

热释发光测试

500/样品

600/样品

变温电阻率测试

250/样品

300/样品

安捷伦B1505A

半导体参数测试仪3000V、500A

电学IV,CV测试

240元/小时

300元/小时

另收开机费200元/次,不足1小时按1小时计算。特殊要求价格面议

刘兴昉、 申占伟、闫果果

Tel:010-82304101

高压测试(3000V)

600元/小时

800元/小时

MOS可靠性测试

240元/小时

300元/小时

德国Phystech公司HERA-DLTS深能级缺陷测量系统

DLTS测试

1600元/样品

2000元/样品

特殊要求价格面议

刘兴昉、闫果果、申占伟

霍尔测试

室温测试

200/样品

400/样品

特殊条件另议

李辉杰,杨少延,魏鸿源

低温测试

400/样品

800/样品


深紫外光致发光光谱

室温稳态

1000+, 300/

1000+, 300/

需对样品进行处理(如腐蚀)的另行计费。

金鹏,刘林生

室温瞬态

1000+, 1500/

1000+, 1500/


低温稳态

1500+, 500/

1500+, 500/


低温瞬态

1500+, 1500/

1500+, 1500/


阴极荧光光谱

室温

1000+, 300/

1000+, 300/


金鹏,刘林生

低温

1500+, 500/

1500+, 500/


近紫外-可见-近红外光致发光光谱

室温

300+, 150/

300+, 150/


金鹏,刘林生

低温

600+, 250/

600+, 250/


变温霍尔

室温

400+, 150/

400+, 150/


孙红,金鹏

低温

600+, 250/

600+, 250/


半导体发光器件测试

PIIVEL

P-I

100+, 50/

100+, 50/


金鹏

I-V

100+, 50/

100+,50/


EL

100+, 100/

100+, 100/


紫外可见分光光度计

漫反射,积分球

开机费150元,150元一个样品

开机费300元,300元一个样品

特殊条件另议

曲胜春,王智杰,刘孔

荧光光谱仪

散射法

开机费150元,150元一个样品

开机费300元,300元一个样品

特殊条件另议

曲胜春,王智杰,刘孔

太阳能电池I-V测试系统

光电转换效率

开机费300元,150元一个样品

开机费500元,200元一个样品

特殊条件另议

曲胜春,王智杰,刘孔

电化学工作站

阻抗谱

开机费300元,200元一个样品

开机费500元,300元一个样品

特殊条件另议

曲胜春,王智杰,刘孔

四探针测试台

方块电阻,电阻率,电导率,电阻

开机费100

50/每片

开机费150

80/

特殊条件另议

曲胜春,王智杰,刘孔

偏振调制光谱测试系统(陈涌海)

偏振调制光谱

开机费:300/;测试费:400/

开机费:300/;测试费:800/

如需用到皮秒激光器或飞秒激光器等高值设备额外收取设备使用费

陈涌海,刘雨

微区RDS测试系统

微区RDS成像(mapping)

开机费:300/; 测试费500/小时

开机费:300/;测试费1000/小时

特殊条件另议

陈涌海,刘雨

光电流测试系统

光电流测试

开机费:300/;测试费:400/点,光谱测试800/条谱线

开机费:300/; 测试费:800/点,光谱测试1600/条谱线

如需用到皮秒激光器、二氧化碳激光器或飞秒激光器等高值设备额外收取设备使用费

陈涌海,刘雨

红外光栅光谱仪(0.8-5μm)

光致/电致荧光谱

开机费300元,室温测试150/谱线,变温测试200/谱线

开机费300元,室温测试300/谱线,变温测试500/谱线

特殊条件另议

杨涛,吕尊仁

激光参数测试系统

激光器P-I-V曲线及光谱(0.8-2.5μm

200/谱线,变温测量400/谱线

300/谱线,变温测量600/谱线

特殊条件另议

杨涛,吕尊仁

傅立叶变换红外光谱仪

PL/EL光谱

室温:60/谱线+150/小时设备占用费;低温:60/谱线+200/小时设备占用费

室温:80/谱线+200/小时设备占用费;低温:80/谱线+250/小时设备占用费

特殊条件另议

叶小玲

吸收光谱

光电流谱

室温:60/谱线+200/小时设备占用费;低温:60/谱线+250/小时设备占用费

室温:80/谱线+250/小时设备占用费;低温:80/谱线+300/小时设备占用费

特殊条件另议

傅立叶变换中红外光谱仪Bruker V70

 

透射/吸收谱

室温:60/谱线+200/小时设备占用费;低温:60/谱线+300/小时设备占用费

室温:80/谱线+250/小时设备占用费;低温:80/谱线+400/小时设备占用费

另收开机费100元/次

马文全,张艳华,黄建亮

光电流谱

室温:200/谱线+200/小时设备占用费;低温:300/谱线+300/小时设备占用费

室温:300/谱线+250/小时设备占用费;低温:300/谱线+400/小时设备占用费

另收开机费100元/次

马文全,张艳华,黄建亮