王占国 中国科学院院士,半导体研究所研究员，半导体材料和材料物理学家。先后担任中科院半导体所副所长、中科院半导体材料科学重点实验室主任、国家“863”高技术新材料领域专家委员会委员、常委、功能材料专家组组长，中国材料研究学会副理事长，中国电子学会常务理事、半导体和集成技术分会主任，国家“973”计划材料领域咨询专家组组长和多个国际学术会议顾问委员会委员 。先后负责承担国家重点科技攻关、国家“863”计划、国家自然科学基金和国家重点基础研究发展规划“973”项目和中科院知识创新课题等近20项，在半导体深能级物理和光谱物理研究，砷化镓材料与器件关系研究，高电子迁移率二维电子气材料研究，大功率量子阱材料和器件制备，应变自组装量子点（线）材料、性质和量子器件研制等方面取得多项成果，先后获得国家自然科学二等奖和国家科技进步三等奖, 中国科学院自然科学一等奖和中国科学院科技进步奖多项，何梁何利科学与技术进步奖以及国家重点科技攻关奖等。 培养博士后、博士和硕士百余名。在国内外重要学术刊物发表论文200多篇，50余次应邀在国内外大型学术会议做特邀或邀请报告。