王圩 中国科学院院士。1960年毕业于北京大学物理系，1988年被授予“国家有突出贡献中青年专家”称号，1997年当选为中科院院士。近期主要从事InP基半导体光电子集成器件的研究。近十多年来在应变量子阱激光器、电吸收调制器及其集成以及半导体光放大器等方面取得的主要成绩如下：在国内首先研制成功应变量子阱1.55微米DFB激光器；随后，指导研究生采用周期埋岛结构，实现了新型反相位增益耦合量子阱DFB激光器、采用SAG技术，研制成功2.5Gb/s 和10 Gb/s EA-MD/DFB-LD 单片集成模块，并分别成功地在400公里和53公里标准光纤上进行了2.5Gb/s和10 Gb/s码率的传输，属国内最好传输试验结果。采用应变渐变结构研制成功偏振不灵敏的宽带1550nm波段半导体光放大器以及电吸收调制器和模斑转换器单片集成器件等。先后获国家科技进步二等奖两次，中国科学院科技进步一等奖一次、二等奖两次，中国材料研究学会科学技术一等奖，以及何梁何利科学与技术进步奖等荣誉。