曾一平，男，研究员，博士生导师。 

　　现任半导体研究所学术委员会委员，兼任中科院半导体照明研发中心副主任，中国有色金属学会半导体材料委员会副主任委员，单片集成电路与模块国家重点实验室客座教授，《稀有金属》期刊编委。 

　　1983年毕业于中国科学技术大学。长期从事分子束外延（MBE）化合物半导体微结构材料、新型器件和电路的研究工作。 

　　取得的重要科研成果及所获奖励： 

　　“八五”期间在国内首次研制出室温连续激射的AlGaAs/GaAs量子阱激光器材料和具有室温光双稳性能的自电光效应器件材料；“九五”期间研制出具有正入射吸收的长波长量子点红外探测器和新型InAs/GaAs Hall器件；“十五”期间研制出最高质量的InP HEMT结构材料，并与器件研制单位合作研制出了振荡频率达150GHz的InP基HEMT器件，完成了分子束外延GaAs和InP基微结构材料的实用化生长技术。 

　　先后发表研究论文60余篇，获得国家科技进步二等奖两项、中国科学院科技进步一等奖两项、三等奖一项、“八五”科技攻关个人成果奖一项，2007年度中国材料研究学会科学技术进步二等奖1项。 

　　主要研究方向： 

　　1.GaAs、InP基新型微电子器件和电路用微结构材料，包括RTD与HEMT结构材料的集成设计和器件研究； 

　　2.InAs/GaAs、InGaAs/GaAs、InAs/GaSb、InAs/Si等量子点、量子阱和超晶格结构材料及InAs/GaAs新型Hall器件的研制； 

　　3.高应变、大失配异质材料的外延生长及其性能研究，包括ZnO/Si、GaN/Si、ZnO/金属等特殊异质结材料； 

　　4.ZnO、ZnSe、CdTe等II-VI族和锑化物外延材料与新型光电器件的应用研究； 

　　5.HVPE外延生长GaN厚膜材料的研究； 

　　6.新型高效太阳电池材料、新概念太阳电池的设计与研制。 

　　联系方式： 

　　电话：010-82304266；  E-mail：ypzeng@semi.ac.cn