张兴旺,男,博士,研究员,博士生导师。
1972年出生于安徽怀宁,分别于1994和1999年从兰州大学物理系获学士和博士学位。1999至 2001年在香港中文大学电子工程系进行博士后研究,2001至2004年任德国乌尔姆大学固体物理系博士后及洪堡学者,于2004年7月加入中科院半导体材料重点实验室,现任国际空间研究委员会中国委员会(CNCOSPAR)委员、中国真空学会薄膜专业委员会委员、中国空间科学学会微重力科学与应用研究专业委员会委员。
科研成果:
发展了一种制备大面积、高质量六方氮化硼(h-BN)二维原子晶体的新方法,制备出毫米尺寸h-BN单晶畴,研制出多种基于二维异质结构的高性能光电器件。制备出光电转换效率超过21%的平面异质结钙钛矿电池,被中国太阳能电池的最高纪录表格收录,是当时世界上同类电池结构中的最高效率。首次成功制备出异质外延生长的立方氮化硼(c-BN)薄膜,相关结果在Nat. Mater.上发表后得到国际同行科学家的广泛关注和高度评价,为实现c-BN薄膜作为高温电子材料奠定了基础。
已主持或承担科技部863、973计划、国家重点研发计划、国家自然科学基金等科研课题20余项,在Nat. Mater., Nat. Energy, Nat. Commun. Adv. Mater.等国内外杂志发表SCI论文150余篇,论文被他引3000余次,获授权发明专利20项;曾获北京市科学技术进步二等奖、中科院优秀研究生指导教师奖、中科院优秀导师奖等奖励,指导的研究生4人获中科院院长奖,5人获中科院优秀毕业生,多人次获国家奖学金。
研究方向:二维原子晶体材料与器件,光伏材料与器件,宽带隙半导体材料与器件
招收具有物理、材料、微电子等相关专业的硕士、博士及硕博连读研究生;长期招聘博士后。
联系方式:Email: xwzhang@semi.ac.cn;Tel: 10-82304569。