杨涛，研究员，博士生导师。1997年毕业于日本德岛大学，获工学博士。博士毕业后，作为研究员或助理教授曾先后任职于日立公司中央研究所，NEDO飞秒技术研究所（FESAT）和东京大学生产技术研究所。2006年1月，作为研究员回国到中科院半导体研究所工作，主要从事纳米结构半导体材料与器件应用研究。

   杨涛研究员曾主要从事氮化物半导体材料、蓝光氮化物半导体激光器、光子晶体、半导体量子点激光器等方面研究，尤其在氮化物半导体材料能带理论计算、MOCVD外延制备高质量GaN晶体材料、光子晶体波导理论与设计、MOCVD（或MBE）生长高性能长波长量子点材料及激光器应用等方面取得了多项创新性研究成果。迄今，已在Appl. Phys. Lett., Phys. Rev. B, J. Appl. Phys.等重要国际刊物上发表论文30余篇，他引超过220次，多次参加国外重要国际会议，担任过会议分会主席及发表国际会议论文30余篇。目前作为课题负责人承担多项国家任务。主要研究方向包括：（1）半导体量子点材料的MBE生长、物性测试分析及激光器研究；（2）光子晶体与器件应用研究。

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