博士，副研究员，硕士生导师。1996年于哈尔滨师范大学物理系获物理教育专业理学学士学位。1999年于吉林大学材料科学与工程系获凝聚态物理专业理学硕士学位， 2006年于中国科学院半导体研究所获材料物理与化学专业工学博士学位。1999.7参加工作，1999-2005年在中国科学院半导体研究所从事低能离子束外延材料制备技术和大失配异质结构材料柔性衬底研究工作。目前主要从事：1）ZnO材料的MOCVD生长技术研究；2）宽带隙半导体材料衬底制备技术研究。已先后负责和参与各类科研项目10余项，申请国家发明专利20余项（已授权4项，第1申请人15项），发表学术论文30余篇（第1作者10篇）。联系方式：电话:010-82304968; E-mail: sh-yyang@semi.ac.cn

完成/在研科研项目
1、973课题"大失配异质结构材料柔性衬底研究"（子课题），2000.9～2005.9。
2、973课题"大失配异质体系材料衬底研究"， 2006.9～2011.9。
3、 863课题"GaN基绿光材料、器件及衬底研究" （子课题），1999.7～2000.12。
4、863课题"生长温度周期调制MOCVD法制备ZnO材料及发光器件研究"， 2007.7～2010.7。
5、合作研究课题（与香港城市大学合作）：金刚石成核机制研究，2000.1～2002.7。
6、自然科学基金面上项目"GaN与ZnO异质外延中的Si基协变超薄中间层研?quot;， 2006.1～2008.12。
7、自然科学基金面上项目"生长温度周期调制的MOCVD法制备p型ZnO薄膜研究"， 2008.1～2010.12。