王智杰，男，博士，研究员，博士生导师。 

　　2004年本科毕业于浙江大学，2009年博士毕业于中科院半导体研究所。随后在美国怀俄明大学、密歇根大学以及德国伊尔梅诺理工大学等知名高校工作。德国物理学会会员。2015年进入中科院半导体研究所半导体材料科学重点实验室工作。与国外诸多知名科研单位有较深的合作关系。 

　　取得的重要科研成果： 

　　（1）系统研究了空穴从染料激发态到P型GaP的注入。研究表明，在半导体表面存在耗尽层的条件下，空穴的注入效率近于100%。并运用wxAMPS软件结合连续态模型对空穴注入的过程进行计算拟合，从理论和实验两方面验证了空穴高效率注入的存在，填补了P型半导体在光电化学研究领域的空白。（2）利用瞬态光谱法和光电化学法验证了空穴从量子点激发态到GaP注入的存在，深化了对量子点材料电荷迁移的认识，拓展了量子点材料在光电化学领域的应用。（3）将铁酸铋铁电薄膜制备成光电化学电极，研究不同铁电极化条件对于电极光解水效率及方式的影响。此工作拓展了光解水材料的研究领域，可实现单一电极兼具产氢产氧功能，为光解水反应的智能化控制奠定了基础。 

　　主要研究领域方向： 

　　纳米技术，光电化学，新能源（太阳能电池、超级电容器、离子电池等）。 

　　联系方式： 

　　E-mail: wangzj@semi.ac.cn；   电话：010-82304568。