汪连山，男，博士，研究员，博士生导师。

1999年2月毕业于中国科学院半导体研究所，获半导体材料工学博士学位。1998年8月至1999年8月在香港理工大学电子信息工程系做访问学者，主要研究AlGaN/GaN紫外探测器。1999年10月至2006年10月在新加坡材料研究与工程研究院（IMRE）工作，任职Research Scientist, 主要研究宽带隙氮化物半导体材料与器件, 先后实现了GaN基蓝光、绿光及紫外光发光二极管, 并与日本富士通量子器件(Fujistu Quantum Device)公司合作率先研制成功InGaN蓝光激光器。2006年10月至2011年8月为华中科技大学武汉光电国家实验室（筹）教授,主要从事半极性面氮化镓材料、图形衬底制备技术、ZnO纳米结构制备技术等研究工作，其中，2009年2月至7月在英国巴斯大学电子电机工程系做访问教授，主要研究GaN体衬底HVPE制备和自分离技术。2011年9月至2013年4月为中国科学院半导体研究所半导体照明中心研究员，主要从事基于金属基板和表面光子晶体的高效大功率LED芯片研发及产业化。2013年5月内调至半导体材料科学重点实验室，主要从事半极性、非极性氮化物半导体材料与器件、纳米材料与器件以及和新型太阳能电池制备技术研究。迄今发表学术论文120多篇，累计引用750余次，取得发明专利15项，并受邀为Applied Physics Letters、IEEE Photonics Technology Letters、Electrochemical Society (ECS) Journal of Solid-State Science and Technology、Electrochemical and Solid State Letters、Materials Science and Engineering B、 Applied Surface Science、Crystal Research & Technology、Physica Status Solidi (a)、Science China、《光学学报》、《中国科学》、《发光学报》等期刊论文评审人和广东省科技咨询及产学研项目评审专家。

主要研究领域或方向：

氮化物半导体材料、器件与应用

纳米结构材料制备技术与应用

新型太阳能电池制备技术与应用

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