王晓亮，1963年生，研究员、博导，中国电子学会理事。在InGaAs/InP应变量子阱结构材料、红光AlGaInP/GaAs应变量子阱超辐射发光管等方面取得突出成果;研制出了具有国内领先水平、国际先进水平的 AlGaN/GaN微波功率器件结构材料，并实现了小批量供片，与中电集团13所合作，研制出了我国第一支国产X波段微波功率器件，与中电集团55所合作，研制出了具有国内领先水平、达到国际先进水平的X波段微波功率器件。发表论文九十余篇，已授权发明专利7项。2006年获“十五”武器装备预先研究先进个人。