孙国胜，研究员，长期从事碳化硅（SiC）高温宽带隙半导体材料与器件研究工作。1997年在美国加州大学洛杉矶分校物理系作为访问学者做博士后研究工作。曾获得中国科学院科学技术成果奖、陕西省教育委员会科学技术进步奖。发表论文40余篇、授权国家发明专利2项。