王占国 中国科学院院士,半导体研究所研究员，半导体材料和材料物理学家。先后担任中科院半导体所副所长、中科院半导体材料科学重点实验室主任、国家“863”高技术新材料领域专家委员会委员、常委、功能材料专家组组长，中国材料研究学会副理事长，中国电子学会常务理事、半导体和集成技术分会主任，国家“973”计划材料领域咨询专家组组长和多个国际学术会议顾问委员会委员 。先后负责承担国家重点科技攻关、国家“863”计划、国家自然科学基金和国家重点基础研究发展规划“973”项目和中科院知识创新课题等近20项，在半导体深能级物理和光谱物理研究，砷化镓材料与器件关系研究，高电子迁移率二维电子气材料研究，大功率量子阱材料和器件制备，应变自组装量子点（线）材料、性质和量子器件研制等方面取得多项成果，先后获得国家自然科学二等奖和国家科技进步三等奖, 中国科学院自然科学一等奖和中国科学院科技进步奖多项，何梁何利科学与技术进步奖以及国家重点科技攻关奖等。 培养博士后、博士和硕士百余名。在国内外重要学术刊物发表论文200多篇，50余次应邀在国内外大型学术会议做特邀或邀请报告。

王圩 中国科学院院士。1960年毕业于北京大学物理系，1988年被授予“国家有突出贡献中青年专家”称号，1997年当选为中科院院士。近期主要从事InP基半导体光电子集成器件的研究。近十多年来在应变量子阱激光器、电吸收调制器及其集成以及半导体光放大器等方面取得的主要成绩如下：在国内首先研制成功应变量子阱1.55微米DFB激光器；随后，指导研究生采用周期埋岛结构，实现了新型反相位增益耦合量子阱DFB激光器、采用SAG技术，研制成功2.5Gb/s 和10 Gb/s EA-MD/DFB-LD 单片集成模块，并分别成功地在400公里和53公里标准光纤上进行了2.5Gb/s和10 Gb/s码率的传输，属国内最好传输试验结果。采用应变渐变结构研制成功偏振不灵敏的宽带1550nm波段半导体光放大器以及电吸收调制器和模斑转换器单片集成器件等。先后获国家科技进步二等奖两次，中国科学院科技进步一等奖一次、二等奖两次，中国材料研究学会科学技术一等奖，以及何梁何利科学与技术进步奖等荣誉。