序号 | 专利名称 | 发明人 | 授权日 | 专利号 |
1 | 自制冷型锑化物超晶格红外探测器及其制备方法 | 聂碧颖，马文全，黄建亮，张艳华 | 2022-02-11 | ZL.202010341299.2 |
2 | MOS器件的制备方法及MOS器件 | 申占伟，刘兴昉，赵万顺，王雷，闫果果，孙国胜，曾一平 | ZL.202011029074.X | |
3 | 晶圆的室温等静压金属键合方法 | 王晓亮，郭芬，肖红领，王权，姜丽娟，冯春，王茜，李巍，刘宏新 | 2022-02-22 | ZL.202010204986.X |
4 | 电吸收调制激光器的制作方法 | 周代兵，梁松，赵玲娟，王圩 | 2022-03-11 | ZL.202011542742.9 |
5 | 激光器及其制作方法 | 剌晓波，梁松，唐强，刘云龙，张立晨，朱旭愿 | 2022-03-29 | ZL.202010606637.0 |
6 | 单片光子集成器件整片制作结构 | 黄永光，朱洪亮，王宝军，张瑞康 | 2022-04-01 | ZL.201911422971.4 |
7 | 基于V坑调控的橙黄光LED器件及其制备方法 | 姚威振，汪连山，杨少延，刘祥林，王占国 | 2022-04-01 | ZL.202110107449.8 |
8 | 一种新型有机无机杂化钙钛矿纳米线的制备方法 | 贾晓皓，曲胜春，王智杰，刘孔，黄志涛，孙明飞 | 2022-04-22 | ZL.202010774987.8 |
9 | 单片集成多波长量子级联激光器阵列结构及其制作方法 | 郭强强，张锦川，程凤敏，刘峰奇，刘俊岐，卓宁，王利军，刘舒曼，王占国 | 2022-04-29 | ZL.202010976458.6 |
10 | 用于异质外延的石墨烯中间层柔性衬底及其制备方法 | 霍晓迪，金鹏，王占国，杜鹏 | 2022-05-03 | ZL.202010146464.9 |
11 | 光反馈结构及其封装方法 | 李媛媛，刘俊岐，刘峰奇，骆军委，翟慎强，张锦川，卓宁，王利军，刘舒曼，梁平，胡颖 | 2022-05-17 | ZL.202110650811.6 |
12 | 高雾度玻璃衬底、制备方法及薄膜太阳电池 | 孟磊，杨涛 | 2022-05-27 | ZL.202010805925.9 |
13 | 六方氮化硼紫外光探测器及制备方法 | 张兴旺，刘恒，王烨，尹志岗 | 2022-05-27 | ZL.202010063708.7 |
14 | 用于等离子体化学气相的样品支架 | 周广迪，金鹏，屈鹏霏，霍晓迪，王占国 | 2022-06-14 | ZL.202110072158.X |
15 | 一种AlGaN/h-BN多量子阱结构的深紫外LED及其制备方法 | 汪连山，李方政，赵桂娟，孟钰琳，杨少延，魏鸿源，王占国 | 2022-06-24 | ZL.202011414698.3 |
16 | 改善大功率太赫兹半导体激光器散热的封装结构 | 赵方圆，李利安，刘俊岐，刘峰奇，张锦川，翟慎强，卓宁，王利军，刘舒曼 | 2022-06-24 | ZL.202011513402.3 |
17 | 利用磁控溅射在硅衬底上制备氮化锆薄膜的方法 | 高洁，杨少延，魏洁，魏鸿源，陈怀浩 | 2022-07-05 | ZL.202011533232.5 |
18 | 一维/二维钙钛矿范德华异质结光电器件及其制作方法 | 刘孔，王智杰，曲胜春，贾晓皓，孙明飞，任宽宽，黄志涛，吴玉林 | 2022-08-05 | ZL.202010860334.1 |
19 | 一种多路遥控测试装置 | 刘孔，王智杰，曲胜春，岳世忠，任宽宽，孙阳，李其聪，杨诚 | 2022-08-30 | ZL.202010991573.0 |
20 | 基于液晶调控的垂直腔面发射激光器及其制备方法 | 邵泓焰，关宝璐，张杨，崔利杰，崔宁，曾一平 | 2022-08-30 | ZL.202011068518.0 |
21 | 多波长激光器阵列及其制作方法 | 梁松，剌晓波 | 2022-09-13 | ZL.202010964578.4 |
22 | 电吸收调制激光器各功能区电隔离的实现方法 | 周代兵，梁松，赵玲娟，王圩 | 2022-09-13 | ZL.202011542714.7 |
23 | 可调谐激光器及其制作方法 | 剌晓波，梁松，唐强，刘云龙，张立晨，朱旭愿 | 2022-09-16 | ZL.202010602019.9 |
24 | 一种宽禁带功率半导体器件及制备方法 | 申占伟，刘兴昉，闫果果，王雷，赵万顺，孙国胜，曾一平 | 2022-10-04 | ZL.202011264915.5 |
25 | 薄膜本征应力测量方法、电子设备及介质 | 姚威振，刘祥林，杨少延，胡晓海，张浩，王占国 | 2022-10-14 | ZL.202111330097.9 |
26 | 基于液晶调控的垂直腔面发射激光器及其制备方法 | 邵泓焰，曾一平，张杨，崔利杰，崔宁 | 2022-10-14 | ZL.202110186788.X |
27 | 一种缓冲层结构及其制备方法 | 周广迪，金鹏，王占国，杜鹏 | 2022-10-18 | ZL.201911360215.3 |
28 | 基于氮化硼中间层远程外延生长二硫化铪的方法 | 王登贵，张兴旺，尹志岗，孟军华 | 2022-11-11 | ZL.201811012428.2 |
29 | 分子束外延兼容的二维材料衬底的制备方法 | 李利安，赵方圆，翟慎强，刘峰奇 | 2022-12-09 | ZL.202011533170.8 |
30 | 在半导体ZnO上外延制备HfO2基铁电薄膜的方法及其系统 | 程勇，郑茂源，吴金良，尹志岗，张兴旺 | 2022-12-23 | ZL.202110252819.7 |
31 | 一种应用于小尺寸样品光刻工艺的方法 | 冯梦阳，孟宪权，金鹏，周广迪，霍晓迪，徐鹏飞，王占国 | 2022-12-30 | ZL.202110304075.9 |
32 | 微腔耦合的双色量子级联红外探测器及其制备方法 | 朱怡璇，刘俊岐，翟慎强，梁平，黎昆，刘舒曼，胡颖，王利军，张锦川，卓宁，刘峰奇 | 2022-12-30 | ZL.202110487994.4 |
33 | 折反式光学系统 | 高瑀含，张玲，李冬梅，张昕，李星星 | 2022-09-30 | ZL.202110085256.7 |