科研成果
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2021年授权发明专利

发布时间:2023-07-01  阅读量:

1. 隔热导电偏压衬底托ZL.202010735304.8),陈亚男,霍晓迪,周广迪,金鹏,王占国

2. 应变补偿型量子级联探测器ZL.201911313339.6),黎昆,刘舒曼,朱怡璇,刘俊岐,翟慎强,王利军,张锦川,卓宁,刘峰奇,王占国

3. 大规模单片集成的硅基III-V族电泵激光器及其制备方法ZL.202010116917.3),李亚节,周旭亮,杨文宇,王梦琦,于红艳,潘教青

4. 表面光栅半导体激光器及其制作方法ZL.202010171721.4),梁松

5. 半导体激光器及其制作方法ZL.202010171009.4),梁松,晓波

6. 一种铝掺杂氧化锌薄膜表面改性材料、制备方法及电池ZL.201910116789.X),孟磊,杨涛

7. 一种集成SBD的碳化硅沟槽型MOSFETs及其制备方法ZL.201810762721.4),申占伟,张峰,温正欣,赵万顺,王雷,闫果果,刘兴昉,孙国胜,曾一平

8. 一种集成激光器和光电探测器的光通信收发结构ZL.202010061790.X),唐强,朱旭愿,梁松

9. 可协变应力AlN结构及其制备方法ZL.201911126555.X),汪连山,李方政,姚威振,文玲,杨少延,魏鸿源,王占国

10. 单模砷化镓基量子点激光器的制备方法ZL.201910896555.1),杨涛,丁芸芸

11. 硅基Ⅲ-Ⅴ族红外光电探测器阵列的制备方法ZL.201910519509.X),杨文宇,李亚节,周旭亮,王梦琦,于红艳,潘教青,王圩

12. 二类超晶格雪崩光电探测器及其制作方法ZL.201910648930.0),赵成城,马文全,黄建亮,张艳华

13. 半导体激光器及不同折射率面膜的制备方法              ZL.201811514009.9),周代兵,赵玲娟

14. 一种锑化物量子点超晶格结构及其生长方法ZL.201910187930.5),于天,刘舒曼,宁超,徐波,刘峰奇,陈涌海,王利军,刘俊岐,张锦川,卓宁,翟慎强,王占国