赵超，男，博士，研究员，博士生导师。

2004年毕业于天津大学材料学院，2009年在中国科学院半导体研究所获博士学位。2009年6月至2020年3月，分别在阿卜杜拉国王科技大学和亚琛工业大学/于利希国家研究中心工作。2020年4月入职中国科学院半导体研究所，同年获中国科学院“高层次引进人才计划”择优支持。

取得的重要科研成果及所获奖励：

长期从事III-V族半导体材料和器件的大失配异质外延方面的研究。成功实现了电注入硅基激光器和发光二极管，为硅基光源提供了解决方案；首次提出了引入金属外延缓冲层的思路，有效解决了大功率半导体器件的散热难题；此外还突破了传统外延限制，发展了多种新型异质外延技术。

迄今共发表学术论文70余篇，其中SCI论文54篇，JCR一区论文36篇。Google Scholar总引用2900余次，H指数为24。已获授权美国专利4项，中国专利1项。受邀撰写Wiley出版的学术专著一章。目前任Electronics Express副编辑和IEEE高级会员；是Advanced Materials等二十多个期刊的审稿人；入选中国科学院半导体所“卓越青年学者”（2020年）；获得中国科学院“高层次引进人才计划”择优支持（2020年）。

主要研究领域方向：

1、III-V族半导体材料和器件

2、大失配异质外延   　　

3、硅基光子集成

联系方式：

E-mail：zhaochao@semi.ac.cn

在研/完成项目：

1、中国科学院，高层次人才计划（择优支持），2021‐01至2023‐12，在研，主持

2、中国科学院半导体研究所，卓越青年学者计划，2020‐04至2023‐04，在研，主持

3、中国科学院，战略性先导科技专项（B类），光电融合集成结构物理模型，2020‐01至2024‐12，在研，子课题负责人